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J-GLOBAL ID：201702224864146013   整理番号：17A0968158

高速熱アニーリングした薄膜エミッタを有するヘテロ接合太陽電池の再結合機構の解析

Analysis of recombination mechanisms in heterojunction silicon solar cells with rapid thermally annealed thin film emitters

著者 (3件)： BALDUS-JEURSEN C (Univ. Waterloo, Ontario, CAN) ,  TARIGHAT R S (Univ. Waterloo, Ontario, CAN) ,  SIVOTHTHAMAN S (Univ. Waterloo, Ontario, CAN)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 50  号： 17  ページ： 175501,1-6  発行年： 2017年05月04日 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高速熱アニーリング(RTA)した薄膜エミッタを有するSiヘテロ接合太陽電池の再結合機構を調べた。試料にはRTA温度600~1000°Cを用いて作製した太陽電池を用いた。実験により求めた量子効率,照射した電流電圧特性,容量電圧特性,材料パラメータと理論に基づいて,準自然領域と空間電荷領域及びヘテロ接合領域におけるキャリア再結合を解析し,主な再結合機構とプロセス条件が界面品質に及ぼす影響を検討した。少数キャリアの有効拡散距離を求めた。ヘテロ接合における界面再結合速度は<100cms^-1であった。RTAエミッタはa-Si:Hよりも高い結晶品質を有するが,それらの欠陥密度と移動度はc-Siとはかなり異なった。

シソーラス用語： *太陽電池 ,  *RTA【熱処理】 ,  *キャリア再結合 ,  温度依存性 ,  量子効率 ,  電流電圧特性 ,  容量電圧特性 ,  ヘテロ接合 ,  欠陥密度 ,  キャリア移動度 ,  光起電力 ,  結晶化 ,  空間電荷
準シソーラス用語： *ヘテロ接合太陽電池

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (6件)： 高速熱アニーリング ,  薄膜 ,  エミッタ ,  ヘテロ接合太陽電池 ,  再結合 ,  解析