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J-GLOBAL ID：201702224986655386   整理番号：17A1767207

エピタキシャルシリコンおよび非対称ゲートを用いたトンネルフィン電界効果トランジスタ

Tunnel Fin Field-Effect Transistor with Epitaxial Silicon and Asymmetric Gate

著者 (4件)： LEE Won Joo (Pusan National Univ., Busan, KOR) ,  KWON Hui Tae (Pusan National Univ., Busan, KOR) ,  WEE Dae Hoon (Pusan National Univ., Busan, KOR) ,  KIM Yoon (Pusan National Univ., Busan, KOR)
資料名： Journal of Nanoscience and Nanotechnology  (Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 17  号： 10  ページ： 7087-7092  発行年： 2017年10月 
JST資料番号： W1351A  ISSN： 1533-4880  CODEN： JNNOAR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： トンネル電界効果トランジスタ(TFET)に関する性能向上に関連して,本論文では,新しい型のトンネルフィン電界効果トランジスタ(T-FinFET)を提示した。このトランジスタは,従来のTFETと異なって,ソース近傍にエピタキシャルシリコン層および非対称ゲートが配置されたユニークな特徴を有する。著者らは,TCADシミュレーションを用いて,この素子の優秀性を証明した。

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  トンネル効果 ,  ケイ素 ,  エピタクシー ,  CAD【計算機】 ,  計算機シミュレーション ,  性能評価 ,  素子構造 ,  構造 ,  ゲート【半導体】 ,  層
準シソーラス用語： *FinFET ,  *トンネルFET ,  TCAD ,  非対称構造 ,  エピタキシャル層

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 非対称 ,  ゲート ,  トンネル ,  フィン ,  電界効果トランジスタ