自動車応用のための15~80V LDMOSFETを有する90nmバルクBiCDMOSプラットフォーム技術【Powered by NICT】

Fujii Hiroki; Tokumitsu Shigeo; Mori Takahiro; Yamashita Tomohiro; Maruyama Takahiro; Maruyama Takuya; Maruyama Yoshiki; Nishimoto Shigeki; Arie Hiroyuki; Kubo Shunji; Ipposhi Takashi

文献

J-GLOBAL ID：201702225054336822 整理番号：17A1273350

自動車応用のための15~80V LDMOSFETを有する90nmバルクBiCDMOSプラットフォーム技術【Powered by NICT】

A 90nm bulk BiCDMOS platform technology with 15-80V LD-MOSFETs for automotive applications

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資料名：
巻： 2017 号： ISPSD ページ： 73-76 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

本論文では,自動車応用のための90nmバルクBiCDMOSプラットフォームを提案した。このプラットフォームでは,二種類の特徴的な深いトレンチ分離を紹介した。一つは高電圧に対して安定アイソレータとして機能する最上層-底部エアギャップを持っている。もう一つは基板接地の面積と抵抗を最小化するだけでなく,騒音遮断活性バリアガードリングをスリムになっ,タングステンプラグを備えている。Neh LD-MOSFETでは,RESURF強化p型領域はほとんど熱処理による電場増強を打ち消すために挿入した。進歩した90nmルールは主にチップサイズ低減のための論理地域に適用した。プラットフォームも高電圧B JT,完全分離ダイオードと組み込みフラッシュ(eFlash)などのアナログに優しいデバイスを提供した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

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トランジスタ , ジャイレータ,アイソレータ,サーキュレータ , 半導体集積回路

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