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J-GLOBAL ID：201702225069762576   整理番号：17A1569566

微調整を用いた9nWオンチップ一定サブしきい値CMOS相互コンダクタンスバイアス【Powered by NICT】

A 9-nW on-chip constant subthreshold CMOS transconductance bias with fine-tuning

著者 (3件)： Antao Uldric A. (Department of Electrical Engineering, University of Southern California, Los Angeles, USA) ,  Hsieh John Choma Ming (Department of Electrical Engineering, University of Southern California, Los Angeles, USA) ,  Berger Theodore W. (Department of Biomedical Engineering, University of Southern California, Los Angeles, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ISCAS  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新しい9nWプロセス,電圧,および温度不変サブ閾値相互コンダクタンスバイアス回路は,BSIM3。V3モデルを用いた150nm CMOSプロセスを用いて設計した。回路は,外部部品または強い反転トランジスタを使用し,大幅に複雑さを減らし,そして,以前の研究と比較して低下電力しなかった。提案した方法は,トランジスタの比電流を抽出し,次に二乗回路を通過するサブしきい値領域における温度にわたって一定相互コンダクタンスバイアスを提供することである。も異なるサイズのNMOSトランジスタの電子の移動度温度指数,m,の違いを利用した相互コンダクタンスのロバスト性を改善するユニークな微調整ブロックを提案した。シミュレーションは回路は, 40°Cから125°Cのしきい値以下の相互コンダクタンス+0.63%の最小変動を用いた以前の研究よりも優れていることを示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *相互コンダクタンス ,  ロバスト性 ,  電圧 ,  電力 ,  *バイアス ,  不変性 ,  電流 ,  *CMOS ,  移動度 ,  トランジスタ
準シソーラス用語： バイアス回路 ,  *サブ閾値 ,  *オンチップ ,  *微調整 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 増幅回路  (NC05040U) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 微調整 ,  オンチップ ,  サブしきい値 ,  CMOS ,  相互コンダクタンス