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J-GLOBAL ID：201702225099635657   整理番号：17A1169709

準単結晶シリコンPERC太陽電池の光誘起劣化:銅の関与についての適応【Powered by NICT】

Light-induced degradation in quasi-monocrystalline silicon PERC solar cells: Indications on involvement of copper

著者 (8件)： Vahlman Henri (Department of Electronics and Nanoengineering, Aalto University, Tietotie 3, 02150 Espoo, Finland) ,  Wagner Matthias (SolarWorld Innovations GmbH, Berthelsdorfer Str. 111A, 09599 Freiberg, Germany) ,  Wolny Franziska (SolarWorld Innovations GmbH, Berthelsdorfer Str. 111A, 09599 Freiberg, Germany) ,  Krause Andreas (SolarWorld Innovations GmbH, Berthelsdorfer Str. 111A, 09599 Freiberg, Germany) ,  Laine Hannu (Department of Electronics and Nanoengineering, Aalto University, Tietotie 3, 02150 Espoo, Finland) ,  Inglese Alessandro (Department of Electronics and Nanoengineering, Aalto University, Tietotie 3, 02150 Espoo, Finland) ,  Yli-Koski Marko (Department of Electronics and Nanoengineering, Aalto University, Tietotie 3, 02150 Espoo, Finland) ,  Savin Hele (Department of Electronics and Nanoengineering, Aalto University, Tietotie 3, 02150 Espoo, Finland)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 214  号： 7  ページ： ROMBUNNO.201700321  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 不動態化エミッタおよび背面接点電池(PERC)のような高効率太陽電池設計は,シリコン基板の要求品質を上昇させ,単結晶材料に有利であった。種子鋳造準単結晶シリコン(qm Si)は,低コストで低エネルギーフットプリントの潜在的利点のあるCzochralski(Cz)Siのための有望な代替である。しかし,qm Siの純度と結晶品質は,Cz-Siと同等の効率損失を引き起こす光誘起劣化(LID)の形でにされていない。本論文では,qm Si PERC太陽電池中に存在すると,Cz-Si PERCに比較できるLID現象を研究した。分解と再生を特にCu不純物の視点,ごく最近までこのタイプの装置のためのLIDの源として省略されてから解析した。qm SiとCz-Si間のLID挙動の違いはバルク中の転位密度を考慮して検討した。結果はスラリーウエハスライシングは本質的に高い欠陥密度を持つSiの作製したPERCデバイスにかなりのLIDの原因となる汚染を導入する可能性があることを示唆した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *電池 ,  *銅 ,  *単結晶 ,  *太陽電池 ,  ケイ素 ,  不純物 ,  純度 ,  転位密度 ,  不動態化 ,  品質 ,  欠陥密度
準シソーラス用語： 結晶品質 ,  シリコンウエハ ,  高効率 ,  *光誘起 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 銅 ,  ゲッタリング ,  不純物 ,  光誘起劣化 ,  シリコン ,  太陽電池

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 単結晶シリコン ,  太陽電池 ,  光誘起 ,  銅 ,  適応