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J-GLOBAL ID：201702225101882553   整理番号：17A1723028

InN系SESAMによるSub 200fsモード同期ファイバレーザ【Powered by NICT】

Sub-200 fs mode-locked fiber laser with InN-based SESAM

著者 (6件)： Jimenez-Rodriguez Marco (Photonics Engineering Group, Electronics Dept (EPS), Alcala ́ University, 28871, Alcala ́ de Henares, Madrid, Spain) ,  Gallazzi Francesca (Instituto de O ́ptica Daza de Valde ́s, CSIC, C/Serrano 121, Madrid, Spain) ,  Diego Ania-Castanon Juan (Instituto de O ́ptica Daza de Valde ́s, CSIC, C/Serrano 121, Madrid, Spain) ,  Monroy Eva (University Grenoble-Alpes, 38000 Grenoble, France) ,  Gonzalez-Herraez Miguel (Photonics Engineering Group, Electronics Dept (EPS), Alcala ́ University, 28871, Alcala ́ de Henares, Madrid, Spain) ,  Naranjo Fernando B. (Photonics Engineering Group, Electronics Dept (EPS), Alcala ́ University, 28871, Alcala ́ de Henares, Madrid, Spain)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： CLEO/Europe-EQEC  ページ： 1  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超高速放射源中を上昇する需要を用い高出力と高安定性モード同期ファイバレーザのための探索,特に通信波長を促進した。本研究では,可飽和吸収体としてInNに依存する初めての超高速モード同期ファイバレーザ,1.5μmに中心を持つことを示した。可飽和吸収体は分子ビームエピタクシー[1]により堆積したGaN-オン-サファイアテンプレート上に成長させた1μm厚InNから構成され,RFスパッタリングにより堆積したAlの250nm厚のトップ層を有する。この材料は約100%[挿入Fig.1(a)]の,飽和フルエンスF_sat=490μJ/cm~2および反射率の大きい変化があったが,非常に高い非線形光学応答を示した。材料は,光学損傷を伴わずに9000μJ/cm~2の非常に高いフルエンスに耐えることができることが証明されている。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 窒化ガリウム ,  可飽和吸収体 ,  反射率 ,  *ファイバレーザ ,  通信 ,  非線形光学 ,  RFスパッタリング ,  MBE成長 ,  *モード同期 ,  アルミニウム ,  波長 ,  フルエンス
準シソーラス用語： 高出力 ,  超高速 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 固体レーザ  (BD04080W) ,  非線形光学  (BD05000T) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (2件)： InN ,  モード同期ファイバレーザ