文献
J-GLOBAL ID：201702225131446398
整理番号：17A0551282
GaAsSb/GaAs(001)上の高密度InAs量子ドット層の発光特性
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著者 (4件)：
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資料名：
巻：
64th
ページ：
ROMBUNNO.17p-P2-12
発行年：
2017年03月01日
JST資料番号：
Y0054B
ISSN：
2436-7613
資料種別：
会議録 (C)
記事区分：
短報
発行国：
日本 (JPN)
言語：
日本語 (JA)
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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分類 (1件)：
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半導体のルミネセンス
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