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J-GLOBAL ID：201702225362977002   整理番号：17A1955948

単結晶シリコンの安定室温ミクロンスケール亀裂成長

Stable room-temperature micron-scale crack growth in single-crystalline silicon

著者 (3件)： MUELLER Martin Guillermo (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Lausanne, CHE) ,  ZAGAR Goran (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Lausanne, CHE) ,  MORTENSEN Andreas (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Lausanne, CHE)
資料名： Journal of Materials Research  (Journal of Materials Research)
巻： 32  号： 19  ページ： 3617-3626  発行年： 2017年10月16日 
JST資料番号： D0987B  ISSN： 0884-2914  CODEN： JMREEE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単結晶シリコンの破壊挙動は種々の方法により研究されている。本研究では,同一試料内で,亀裂成長が異なる応力拡大係数値で成長および停止するかを観察することを目的に,直線貫通切欠き(STN)および安定な亀裂成長が可能なchevron切欠き(CN)片持ち梁を用い,シリコン(111)面に沿ったミクロンスケールの室温破壊を調べた。CN試験により,亀裂成長中の破壊靭性の変化によって亀裂が成長および停止することが明らかになった。そのメカニズムの有力な候補は亀裂先端遮蔽を形成する亀裂先端転位活性である。STN試験では見られなかった安定な亀裂成長がCN試験では観察された。chevron先端には亀裂が発生することが困難なため,微視的CN試験はシリコンの破壊靭性の調査には不便なことが分かった。

シソーラス用語： *ケイ素 ,  単結晶 ,  ウエハ【IC】 ,  *破壊靱性 ,  破壊靱性試験 ,  亀裂伝搬 ,  疲れ亀裂成長 ,  *微細構造 ,  結晶方位 ,  応力拡大係数 ,  材料試験 ,  切欠き ,  片持梁 ,  転位【結晶】 ,  結晶構造 ,  集束イオンビーム ,  荷重-変形関係
準シソーラス用語： *単結晶シリコン ,  シリコンウエハ ,  亀裂成長 ,  微細組織 ,  切欠き試験 ,  FIB【ビーム】 ,  荷重-変位曲線

分類 (1件)： その他の材料  (HC04050S)

タイトルに関連する用語 (4件)： 単結晶シリコン ,  室温 ,  スケール ,  亀裂成長