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J-GLOBAL ID：201702225436815046   整理番号：17A0965755

NANDフラッシュメモリのためのポリゲートエッチングプロファイル,マイクロ負荷とウィグリング(wiggling)研究【Powered by NICT】

The study of poly gate etching profile, micro loading and wiggling for NAND flash memory

著者 (3件)： Chen Zhuo-Fan (Technology R&D, Semiconductor Manufacturing International Corp., No.18 Zhang Jiang RD., Pudong New District, Shanghai, 201203, China) ,  Hai-yang Zhang (Technology R&D, Semiconductor Manufacturing International Corp., No.18 Zhang Jiang RD., Pudong New District, Shanghai, 201203, China) ,  Yi-Ying Zhang (Technology R&D, Semiconductor Manufacturing International Corp., No.18 Zhang Jiang RD., Pudong New District, Shanghai, 201203, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： CSTIC  ページ： 1-3  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 先端NANDフラッシュメモリは高い細胞密度を必要とする[1-2]。ゲートピッチサブ50nmにNANDフラッシュメモリ液滴の臨界寸法(CD)あるいはそれ以下では,多数のプロセスの問題が起こる[3]。ポリゲートエッチング,進化するCGとFG形成,ポリゲートプロフィルの支配は,ウィグリング,側壁湾曲,高密度パターンとイソパターン面積間のマイクロ負荷深さとテーパプロファイルとして知られている線変動,アスペクト比(AR)は10:1に達し,特にとして重要な課題に直面する。本研究では,CGポリ側壁曲がりプロフィルを回避し,二種類の領域間のFGエッチングのマイクロ負荷50%以上深さの低減に適用されるいくつかの特別なスキーム。改良された深さ負荷に基づいて,エッチングプロファイルをエッチングパラメータの調整により最適化することができる。パターンウィグリング,ラインエッジ粗さ(LER)測定により判断できる,改良された対応エッチングステップ条件に起因する微細なハードマスク(HM)プロファイルによる減少した細胞株のロバスト性を向上させることである。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： アスペクト比 ,  *エッチング ,  最適化 ,  細胞密度 ,  ロバスト性 ,  液滴
準シソーラス用語： 細胞株 ,  ハードマスク ,  ラインエッジ粗さ ,  高密度 ,  湾曲 ,  臨界寸法 ,  *NANDフラッシュ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (2件)： NANDフラッシュメモリ ,  研究