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J-GLOBAL ID:201702225463361128   整理番号:17A1482923

イオントランジスタを用いた論理ゲート【Powered by NICT】

Logic gates with ion transistors
著者 (1件):
資料名:
巻: 638  ページ: 138-143  発行年: 2017年 
JST資料番号: B0899A  ISSN: 0040-6090  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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電子論理ゲートは,計算とマイクロ制御システムの基本的なビルディングブロックである,典型的にはいくつかのスイッチング素子の統合を必要とする。イオン回路はその電子対応物よりもはるかに遅い;化学または生物化学を組み合わせたディジタル側面を未だ興味深い概念である。プリイオン分離なしに二電気化学的セルを用いたイオンX ORおよびionORゲートを実証した。細胞は第三の透過性と導電性中電極(ゲート),アノードとカソードの間に置いたを含むように修正した。実証への鍵は,回路の出力に関して小さいバイアスゲートパワーの使用である。効果は自己出力イオン回路の実証可逆的である。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
分類
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トランジスタ  ,  有機化合物の薄膜 
タイトルに関連する用語 (3件):
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