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J-GLOBAL ID：201702225488366827   整理番号：17A1553392

次元およびバルクInN結晶の電子および励起子特性【Powered by NICT】

Electronic and excitonic properties of two-dimensional and bulk InN crystals

著者 (8件)： Liang Dan (State Key Laboratory of Information Photonics and Optical Communications, Beijing University of Posts and Telecommunications, Beijing 100876, China. [e-mail]) ,  Quhe Ruge ,  Chen Yingjie ,  Wu Liyuan ,  Wang Qian ,  Guan Pengfei ,  Wang Shumin ,  Lu Pengfei
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 7  号： 67  ページ： 42455-42461  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： III-V材料のナノエレクトロニクス素子での潜在的広範な応用に触発されて,二次元(2D)InNの構造とオプトエレクトロニクス的性質と同様に密度汎関数理論(DFT)を用いてその三次元(3D)対応物を計算した。3D形状と比較して,2D InN層におけるIn-N結合はより短い結合長さの点から強く,2Dの形成は低い凝集エネルギーの点で高かった。単層InNのバンドギャップはGW_0レベルでPBEレベルで0.31eVと2.02eVであった。RPA計算内の多体GW_0とBSEにより,単分子層InNは0.12eVの励起子結合エネルギーを示した。基本バンドギャップ層低減とともに増加すると単分子層InNにおけるバルクInNの直接(0.7 0.9 eV)間接(2.02 eV)から変換される。二軸圧縮歪の下で,2D InNのバンドギャップは,直接から間接に調整できる。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 結合エネルギー ,  三次元 ,  バンドギャップ ,  二次元 ,  二軸 ,  *結晶 ,  ランダム位相近似 ,  オプトエレクトロニクス ,  凝集エネルギー ,  *励起子 ,  単分子層 ,  密度汎関数法
準シソーラス用語： 圧縮歪 ,  三次元形状 ,  ナノエレクトロニクス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  分子の電子構造  (BH05010Q) ,  その他の無機化合物の結晶構造  (BK07030J)

タイトルに関連する用語 (6件)： 次元 ,  バルク ,  InN ,  結晶 ,  電子 ,  励起子