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J-GLOBAL ID:201702225669148961   整理番号:17A0448986

Ni,TeおよびZnドーパントを持つp型セレン化銅の低温熱電特性【Powered by NICT】

Low temperature thermoelectric properties of p-type copper selenide with Ni, Te and Zn dopants
著者 (8件):
資料名:
巻: 699  ページ: 718-721  発行年: 2017年 
JST資料番号: D0083A  ISSN: 0925-8388  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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200Kで0.14の性能指数(ZT)の熱電性能はp型α相セレン化銅(Cu_2Se)親化合物層状構造材料を示すボールミリングとホットプレス法により作製したで達成された。性能指数はこの温度範囲で従来のp型TE材料ビスマスアンチモンより高かった。100K周辺の電気抵抗率データの広い最大値は可能な電荷密度波(CDW)転移及びPeierls歪を示したが,このような異常は,他の輸送特性では観察されなかった。これらの特徴は,p型αCu_2Seは低温で有望な熱電材料であることを示す。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (1件):
分類
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電気的性質 

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