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J-GLOBAL ID：201702225697257095   整理番号：17A1633178

ラン光吸収AlTiN薄膜のバンド構造と光伝導【Powered by NICT】

Band structure and photoconductivity of blue-green light absorbing AlTiN films

著者 (8件)： Tatemizo Nobuyuki (Faculty of Electrical Engineering and Electronics, Kyoto Institute of Technology, Kyoto, 606-8585, Japan. [e-mail]) ,  Miura Yoshio ,  Nishio Koji ,  Hirata Shun ,  Sawa Fumihiro ,  Fukui Kazutoshi ,  Isshiki Toshiyuki ,  Imada Saki
資料名： Journal of Materials Chemistry A. Materials for Energy and Sustainability  (Journal of Materials Chemistry A. Materials for Energy and Sustainability)
巻： 5  号： 39  ページ： 20824-20832  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0204B  ISSN： 2050-7488  CODEN： JMCAET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： は約2.2eVで始まる光吸収と多量にTiをドープした(Tiの11.0%まで)AlN膜(AlTiN)のバンド構造と光伝導を調べた。X線回折(XRD)と透過型電子顕微鏡の結果は,膜がc軸配向したウルツ鉱型構造から成ることを明らかにした。(XANES)TiのK端拡張X線吸収微細構造とX線吸収端近傍構造の結果は,Ti原子の大部分は3+/4+混合原子価をもつAlサイトを占めていることを示唆した。ab initio計算は,Alサイトを占有するTi原子とスーパーセルのXRDデータから推定した格子定数を用いて行った。Ti駆動状態はAlNの伝導バンド(CB)の底に形成され,ほぼ高Ti濃度でそれに融合することを明らかにした。計算したバンド構造は,価電子帯(VB)領域とN端XANESのX線光電子分光法を用いて実験的に検証した。吸収端付近の励起エネルギーでは,光伝導は8.3%と11.0%Tiを含む膜で観察され,Ti駆動状態は,これらのTi濃度でCBを形成開始したことを意味した。光電子収率分光法の結果は,VBのポテンシャルエネルギーは真空準位に関して約6.0eVであることを示唆した。吸収端エネルギーと共に,AlTiNは太陽エネルギー変換のための有望な候補材料の一つであると結論した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 窒化アルミニウム ,  X線光電子分光法 ,  *光伝導 ,  *光吸収 ,  格子定数 ,  XANES ,  ドーピング ,  X線回折 ,  伝導バンド ,  EXAFS ,  透過型電子顕微鏡 ,  励起エネルギー ,  価電子バンド ,  *チタン ,  第一原理計算

分類 (4件)： 電気化学反応  (CB07050F) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  熱電デバイス  (NC03090J) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D)

タイトルに関連する用語 (3件)： 光吸収 ,  バンド構造 ,  光伝導