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J-GLOBAL ID：201702225740486317   整理番号：17A1627191

光吸収材Cu_2SnS_3の誘電と弾性率解析【Powered by NICT】

Dielectric and modulus analysis of the photoabsorber Cu₂SnS₃

著者 (9件)： Lahlali S. (Laboratory of Processes, Metrology, Materials for Energy and Environment (LP2M2E), Cadi-Ayyad University, Faculty of Sciences and Techniques, Department of Applied Physics, Marrakech, Morocco) ,  Essaleh L. (Laboratory of Condensed Matter and Nanostructures (LMCN), Cadi-Ayyad University, Faculty of Sciences and Technology, Department of Applied Physics, Marrakech, Morocco) ,  Belaqziz M. (Laboratory of Processes, Metrology, Materials for Energy and Environment (LP2M2E), Cadi-Ayyad University, Faculty of Sciences and Techniques, Department of Applied Physics, Marrakech, Morocco) ,  Chehouani H. (Laboratory of Processes, Metrology, Materials for Energy and Environment (LP2M2E), Cadi-Ayyad University, Faculty of Sciences and Techniques, Department of Applied Physics, Marrakech, Morocco) ,  Alimoussa A. (Laboratory of Condensed Matter and Nanostructures (LMCN), Cadi-Ayyad University, Faculty of Sciences and Technology, Department of Applied Physics, Marrakech, Morocco) ,  Djessas K. (Laboratoire Procedes, Materiaux et Energie Solaire (PROMES-CNRS), Universite de Perpignan, Rambla de la thermodynamique, Tecnosud, 66100 Perpignan Cedex, France) ,  Viallet B. (Departement de Genie Physique, INSA Toulouse, 135 avenue de Rangueil, 31077 Toulouse Cedex 04, France) ,  Gauffier J.L. (Departement de Genie Physique, INSA Toulouse, 135 avenue de Rangueil, 31077 Toulouse Cedex 04, France) ,  Cayez S. (Departement de Genie Physique, INSA Toulouse, 135 avenue de Rangueil, 31077 Toulouse Cedex 04, France)
資料名： Physica B. Condensed Matter  (Physica B. Condensed Matter)
巻： 526  ページ： 54-58  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0676B  ISSN： 0921-4526  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 三元半導体化合物Cu_2SnS_3の誘電特性を1kHzから1MHzまでの周波数範囲と300°Cから440°Cまでの高温度範囲で初めて研究した。誘電定数ε′と誘電損失tan(δ)は温度と共に増加し,高周波数で一定遺跡に周波数と共に急速に減少することを観察した。Ln(ω)と誘電損失Ln(ε ”)の変化は,経験則,ε」=BΩm(T)に従うことが分かった。誘電データは温度軸上での複素電気弾性率M*を用いて解析した。緩和の原因である活性化エネルギーを,電気係数スペクトルの解析から推定した。ホッピング障壁ポテンシャルの値は誘電損失から推定し,交流伝導率から以前に得られた値と比較した。これらの結果は,太陽電池の吸収材料のCu_2SnS_3に基づく多結晶ファミリーの挙動を理解するために重要である。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： HF【周波数】 ,  半導体 ,  誘電率 ,  太陽電池 ,  誘電性 ,  *弾性係数 ,  *吸収体 ,  活性化エネルギー ,  ホッピング伝導 ,  誘電損失 ,  多結晶
準シソーラス用語： 交流伝導率 ,  電気弾性 ,  三元半導体 ,  *光吸収材 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： Cu_2SnS_3 ,  誘電解析 ,  電気係数 ,  半導体化合物

分類 (1件)： 誘電体一般  (BM05010F)

タイトルに関連する用語 (3件)： 光吸収材 ,  弾性率 ,  解析