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J-GLOBAL ID：201702225810127910   整理番号：17A0703998

高指数GaAs基板上に自己ファセット化中のナノワイヤのY接合形成【Powered by NICT】

Nanowire Y-junction formation during self-faceting on high-index GaAs substrates

著者 (8件)： Mendez-Camacho R. (Coordinacion para la Innovacion y la Aplicacion de la Ciencia y la Tecnologia (CIACYT), Universidad Autonoma de San Luis Potosi, Sierra Leona 550, S. L. P. 78210, Mexico. [e-mail]) ,  Lopez-Lopez M. ,  Mendez-Garcia V. H. ,  Valdez-Perez D. ,  Ortega E. ,  Benitez A. ,  Ponce A. ,  Cruz-Hernandez E.
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 7  号： 29  ページ： 17813-17818  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノテクノロジーにおける主要な現在の焦点は,ナノメータレベルでの半導体構造の自己集合の正確な制御である。量子細線のような高度に均一な構造は,高屈折率基板とエピタキシャル技術を用いて作製したナノメータファセットアレイの自己集合から作製することができた。しかし,Y接合のようなより複雑なナノ構造の自己集合はより複雑な問題であり,潜在的な技術的応用と一次元物理探査を妨げている。本論文では,(631)配向GaAs基板上のGaAsの分子ビームエピタクシー成長における高次と二次元機構の観測について報告する。これらの機構は,分岐ナノワイヤの規則的交互パターン,Y接合の形成を可能にした。Y junction/nanowireアレイは,ソース,ドレインおよびゲート電極を持つ変調ドーピング構造を用いた一次元電子ガス素子を形成するために適切な寸法を有していた。最後に,一次元輸送の探査のためのとカーボンナノチューブY接合の実行可能な代案として分岐構造の使用の可能性を検討した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 一次元 ,  ナノテクノロジー ,  二次元 ,  カーボンナノチューブ ,  半導体 ,  *ファセット ,  *ヒ化ガリウム ,  自己集合 ,  変調ドーピング ,  *ナノワイヤ ,  MBE成長 ,  量子細線 ,  電子ガス
準シソーラス用語： ゲート電極 ,  *GaAs基板 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  干渉測定と干渉計  (BD07070G)

タイトルに関連する用語 (5件)： 指数 ,  GaAs基板 ,  自己 ,  ファセット ,  ナノワイヤ