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J-GLOBAL ID：201702225863061721   整理番号：17A1721034

La_0 7Sr_0 3MnO_3における磁気消滅層【Powered by NICT】

Magnetic Dead Layers in La_0.7Sr_0.3MnO₃ Revisited

著者 (6件)： Porter S. B. (CRANN and School of Physics, Trinity College, Dublin, Ireland) ,  Venkatesan M. (CRANN and School of Physics, Trinity College, Dublin, Ireland) ,  Dunne P. (IPCMS, Strasbourg, France) ,  Doudin B. (IPCMS, Strasbourg, France) ,  Rode K. (CRANN and School of Physics, Trinity College, Dublin, Ireland) ,  Coey J. M. D. (CRANN and School of Physics, Trinity College, Dublin, Ireland)
資料名： IEEE Transactions on Magnetics  (IEEE Transactions on Magnetics)
巻： 53  号： 11  ページ： ROMBUNNO.6000904.1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0339B  ISSN： 0018-9464  CODEN： IEMGAQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 数ナノメートル厚膜における磁気消滅層はSrTiO_3(STO),LaAlO_3(LAO)および(LaAlO_3)0.3(Sr_2TaAlO_6)0.7(LSAT)基板上にLa_0 7Sr_0 3MnO_3について調べた。La_0 7Sr_0 3MnO_3膜のCurie温度以上で存続することが判明異常モーメントは膜に結合したが,あるいは基板の表面近傍の酸素空孔に起因するものではない。基板からモーメントへの寄与であるSTOまたはLSATの場合に20 μ_B/nm~2と高かった。効果は,STOキャップ層を添加することにより増加した。この零日磁性を考慮して,0.8nm,1.5nm,3nmの外挿した磁気デッド層の厚さはLSAT,STOとLAO基板上に成長させたマンガン酸化物膜であることが分かった。STOキャップ層はLSMOデッド層を除去した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： マンガン ,  *磁気 ,  磁性 ,  Curie温度 ,  酸化膜 ,  モーメント ,  厚膜
準シソーラス用語： キャップ層 ,  酸素空格子点 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 磁性材料  (NA04040H)

タイトルに関連する用語 (1件)： 磁気