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J-GLOBAL ID：201702225877019966   整理番号：17A0993720

MnドープGeTeカルコゲナイド半導体に基づく相変化材料の微細構造と磁気的挙動【Powered by NICT】

Microstructure and magnetic behavior of Mn doped GeTe chalcogenide semiconductors based phase change materials

著者 (4件)： Adam Adam Abdalla Elbashir (Faculty of Science and Technology, Alneelain University, Khartoum 11121, Sudan) ,  Cheng Xiaomin (School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, China) ,  Abuelhassan Hassan H. (Faculty of Science and Technology, Alneelain University, Khartoum 11121, Sudan) ,  Miao Xiang Shui (School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, China)
資料名： Solid State Communications  (Solid State Communications)
巻： 259  ページ： 19-23  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0499A  ISSN： 0038-1098  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 相変化材料(PCM)は,普遍的なデータ貯蔵とスピントロニクスデバイスの活性媒体として用い,非晶質-結晶相転移挙動の物理的特性の大きな違いに起因する最も有望な候補である。本研究では,微細構造,Ge_0 0.94Mn_0 0.06Te薄膜の磁気的および電気的挙動を調べた。Ge_0 0.94Mn_0 0.06Te薄膜の結晶学的構造をX線回折(XRD)と高分解能透過型電子顕微鏡(HR TEM)を歌う研究した。XRDパターンによると,膜の結晶構造は優先(202)配向をもつGeTeの菱面体晶相であることを示した。結晶Ge_0 0.94Mn_0 0.06Te薄膜のHR-TEM画像は,二つの大きな結晶と小さな非晶質領域であることを実証した。非晶質及び結晶状態の磁場解析の関数として磁化は強磁性ヒステリシス挙動を示した。膜の正孔キャリア濃度を測定し,室温で10~21cm~ 3以上であることが分かった。H all効果(AHE)の異常は,測定温度510と50Kで明確に観測した。結果は,温度が増加したときAHEの大きさは減少することを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 非晶質 ,  *マンガン ,  キャリア密度 ,  結晶構造 ,  結晶 ,  *ドーピング ,  三方晶系 ,  ヒステリシス ,  X線回折 ,  *カルコゲン化物 ,  薄膜 ,  *微細構造
準シソーラス用語： HRTEM ,  *相変化材料 ,  *GeTe , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 相変化磁性材料 ,  結晶学的構造 ,  磁気挙動 ,  キャリア濃度 ,  異常H all効果

分類 (4件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  その他の無機化合物の磁性  (BM06060P) ,  金属のランダム磁性  (BM06082T) ,  酸化物結晶の磁性  (BM06050E)

タイトルに関連する用語 (7件)： Mn ,  ドープ ,  GeTe ,  カルコゲナイド ,  相変化材料 ,  微細構造 ,  磁気的挙動