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J-GLOBAL ID：201702225917255937   整理番号：17A1552909

Cd_xSe_yZn_1xS_1y量子ドットの勾配シェルを通過する正孔及び電子注入の間の劇的な違い【Powered by NICT】

Drastic difference between hole and electron injection through the gradient shell of Cd_xSe_yZn_1-xS_1-y quantum dots

著者 (12件)： Abdellah Mohamed (Division of Chemical Physics and NanoLund, Lund University, Box 124, 22100, Lund, Sweden. [e-mail] [e-mail] [e-mail]) ,  Poulsen Felipe ,  Zhu Qiushi ,  Zhu Nan ,  zidek Karel ,  Chabera Pavel ,  Corti Annamaria ,  Hansen Thorsten ,  Chi Qijin ,  Canton Sophie E. ,  Zheng Kaibo ,  Pullerits Tonu
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 9  号： 34  ページ： 12503-12508  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超高速蛍光分光法はCd_xSe_yZn_1xS_1y勾配コア-シェル量子ドット(CSQD)で増感したp-型NiO光電陰極における正孔注入を調べた。広い範囲のシェル厚さを持つ一連のCSQDを研究した。相補光電気化学電池測定を行いNiOへの勾配シェルを通した活性コアからの正孔注入が発生していることを確認した。n型半導体(ZnO)に対応する電子注入と比較した場合,NiOへのQDの価電子帯からの正孔注入はシェル厚さにあまり依存していた。Schroedinger方程式を数値的に解くことにより勾配シェルによるポテンシャル障壁を通した電荷キャリアトンネリングをシミュレートした。ポテンシャル障壁を決定するバンドアライメントの詳細をX線分光法測定から得た。正孔と電子の注入の間の観測された劇的な差は,正孔有効質量が減少するモデルと一致したが,一方,傾斜シェルの厚さは増加した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 半導体 ,  蛍光分光法 ,  ポテンシャル障壁 ,  光電陰極 ,  *量子ドット ,  酸化亜鉛 ,  トンネル効果 ,  *正孔 ,  価電子バンド ,  コアシェル構造 ,  光電気化学電池
準シソーラス用語： バンドアライメント ,  電荷キャリア ,  正孔注入 ,  *電子注入 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 発光素子  (NC03082G) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P) ,  塩  (CD01050V) ,  光化学一般  (CB08010U)

タイトルに関連する用語 (5件)： 量子ドット ,  勾配 ,  シェル ,  正孔 ,  電子注入