文献
J-GLOBAL ID:201702225945935257   整理番号:17A1810719

ナノWC-Si粉末の放電プラズマ焼結中の欠陥構造の進展と異常粒子成長

Defect structure evolution and abnormal grain growth during spark plasma sintering of nano WC-Si powders
著者 (3件):
資料名:
巻: 31  号: 10  ページ: 1466-1476  発行年: 2016年05月28日 
JST資料番号: D0987B  ISSN: 0884-2914  CODEN: JMREEE  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
遷移金属炭化物の焼結体の微細構造は,しばしばファセットされた異常粒子成長(AGG)を伴う。商業的に重要なWCも例外ではない。また,これらは選択的メタロイド添加による完全等方性粒成長(IGG)も示す。そこで本研究では,超微細WC-1wt%Si(n-WC-Si)の放電プラズマ焼結中の微細構造の進化を調査した。その結果,1)1323K(TmSi)では,{1010}角柱面上の広範囲の積層欠陥を観察した。プリズム面上での1/6<1213>の複合せん断と,断層を通って粒子間境界への炭素の同時外方拡散として,欠陥の微細構造を説明できた。2)TmSi(1673K)に近い温度では,異常に増殖した板状体を観察した。これらは基底面に単一の平面欠陥を含み,Σ1粒界(GB)を横断する炭素原子の1/3<1010>変換によって記述した。3)板状体の異常に高い密度には3つの要因(核生成サイトを形成する低温プリズマティック転位,成長速度を上昇させる液相,2D核生成のための基底の双晶)が関与した。などの知見を得た。
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
セラミック・陶磁器の製造  ,  セラミック・磁器の性質 

前のページに戻る