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J-GLOBAL ID：201702225945935257   整理番号：17A1810719

ナノWC-Si粉末の放電プラズマ焼結中の欠陥構造の進展と異常粒子成長

Defect structure evolution and abnormal grain growth during spark plasma sintering of nano WC-Si powders

著者 (3件)： KUMAR A.K. Nanda (CSIR, Karaikudi, IND) ,  SUBRAMANIAN B. (CSIR, Karaikudi, IND) ,  KUROKAWA Kazuya (Tomakomai Coll., Tomakomai, JPN)
資料名： Journal of Materials Research  (Journal of Materials Research)
巻： 31  号： 10  ページ： 1466-1476  発行年： 2016年05月28日 
JST資料番号： D0987B  ISSN： 0884-2914  CODEN： JMREEE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 遷移金属炭化物の焼結体の微細構造は,しばしばファセットされた異常粒子成長(AGG)を伴う。商業的に重要なWCも例外ではない。また,これらは選択的メタロイド添加による完全等方性粒成長(IGG)も示す。そこで本研究では,超微細WC-1wt%Si(n-WC-Si)の放電プラズマ焼結中の微細構造の進化を調査した。その結果,1)1323K(T<T_m^Si)では,{10<span style=text-decoration:overline>1</span>0}角柱面上の広範囲の積層欠陥を観察した。プリズム面上での1/6<<span style=text-decoration:overline>1</span>2<span style=text-decoration:overline>1</span>3>の複合せん断と,断層を通って粒子間境界への炭素の同時外方拡散として,欠陥の微細構造を説明できた。2)T_m^Si(1673K)に近い温度では,異常に増殖した板状体を観察した。これらは基底面に単一の平面欠陥を含み,Σ1粒界(GB)を横断する炭素原子の1/3<10<span style=text-decoration:overline>1</span>0>変換によって記述した。3)板状体の異常に高い密度には3つの要因(核生成サイトを形成する低温プリズマティック転位,成長速度を上昇させる液相,2D核生成のための基底の双晶)が関与した。などの知見を得た。

シソーラス用語： *遷移金属化合物 ,  *炭化物 ,  異常 ,  結晶成長 ,  核形成 ,  ファセット ,  半金属 ,  等方性 ,  結晶粒微細化 ,  *放電プラズマ焼結 ,  *微細構造 ,  *発展 ,  *ケイ素 ,  *添加物効果 ,  積層欠陥 ,  炭素 ,  拡散 ,  転位ループ ,  結晶粒界 ,  双晶 ,  *ナノ粒子 ,  *炭化タングステン ,  X線構造解析 ,  異常分散 ,  透過型走査電子顕微鏡 ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  板状結晶 ,  改変 ,  格子欠陥
準シソーラス用語： メタロイド ,  外方拡散 ,  欠陥構造 ,  板状晶

分類 (2件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (7件)： WC ,  Si ,  粉末 ,  放電プラズマ焼結 ,  欠陥構造 ,  進展 ,  粒子成長