SRIM解析により研究した大傾斜角イオン注入における異常二重ピークプロフィルの機構【Powered by NICT】

Zhu Lei; Tan Pik Kee; Wang Dandan; Huang Yamin; Lam Jeffrey; Mai Zhi Hong

文献

J-GLOBAL ID：201702225967362736 整理番号：17A1637388

SRIM解析により研究した大傾斜角イオン注入における異常二重ピークプロフィルの機構【Powered by NICT】

Mechanism of abnormal dual-peak profiles in large tilt-angle ion implantation studied by SRIM analysis

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資料名：
巻： 2017 号： IPFA ページ： 1-3 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

大傾斜角(LTA)注入は,多くの応用におけるSi製造プロセス,低濃度ドープドレインとハローイオン注入などで使用されている。注入イオンの深さプロファイルは,通常,シリコン表面の垂直に関して零°の入射角での単一ピークのみから構成されている。しかし,ホウ素とリン両方のためのLTA(>40度)で観察された異常二重ピークプロフィル。イオン注入プロセスをシミュレートするためにモンテカルロ法(SRIM)を用いることにより,注入イオンの射影飛程は深さの浅いである最初のピーク位置の形成と一致することが分かった。しかし,Si基板内にずっと深い深さに対応する第二のピークの原因は不明であった。シミュレーションの間に,また傾斜角が増加すると,スパッタリング収率とSi変位は有意に増加することが分かった,この現象はLTA注入中,Si損傷は無視できないことを示した。シミュレーションにおける低Si密度または一過性Si変位のいずれかに起因するSi損傷効果はSi基板にはるかに深く貫通部分入射イオンをもたらした可能性があり,従って,第二ピークの出現を引き起こした。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

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