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J-GLOBAL ID：201702226015649343   整理番号：17A1285259

エキシプレックス複合体は,励起子複合体領域に対するスペーサ層の調節を与える。【JST・京大機械翻訳】

Adjustment of Exciton Recombination Zone by Utilizing The Donor of Exciplex as Spacer Layer

著者 (5件)： Gao Haofeng (華東理工大学理学院 物理系,上海,200237) ,  Fang Shenghuan (華東理工大学理学院 物理系,上海,200237) ,  Zhang Yefeng (華東理工大学理学院 物理系,上海,200237) ,  Lu Qing (華東理工大学理学院 物理系,上海,200237) ,  Lv Zhaoyue (華東理工大学理学院 物理系,上海,200237)
資料名： Faguang Xuebao  (Faguang Xuebao)
巻： 38  号： 4  ページ： 514-520  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1380A  ISSN： 1000-7032  CODEN： FAXUEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： エキシプレックスの励起子の複合領域の変化を研究するために,TPD/BPhen界面におけるエキシプレックス発光の形成に基づいて,Ir(pq)2(acac)を検出層として用いた。ITO/MoO_3(2.5nm)/TPD((40-x)nm)/Ir(pq)2(acac)(0.5nm)/TPD(x,x=0,3,6,10nm)/BPhen(40nm)/Cs2CO3/Alを調製した。その中で、BPhenに近いTPDは間隔層と呼ばれている。エレクトロルミネセンススペクトルにより、このデバイスの励起子複合領域は主にIr(pq)2(acac)薄層とTPD/BPhen界面に位置し、それぞれ595nmと478nmの光を発光することが分かった。TPD層の厚さの増加と電圧の上昇に伴い、発光領域がエキシプレックス領域(TPD/BPhen界面)に移動し、即ちより多くの電子と正孔がTPD/BPhen界面にエキシプレックス発光を形成し、Ir(pq)2(acac)発光が弱まる。スペーサ層の厚さが0nmから10nmに増加すると,6Vの電圧でのIr(pq)2(acac)とエキシプレックスの発光強度の比は44から1.5に低下した。スペーサ層の厚さが6nmのデバイスに対して、Ir(pq)2(acac)とエキシプレックスの発光強度の比は6Vのとき2.8から10Vの時の1.0に低下した。これらの結果により,励起子複合体領域が励起子複合体により効果的に調節されることを示した。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 薄膜 ,  *スペーサ ,  電圧 ,  *エキシプレックス ,  界面 ,  正孔 ,  *複合体 ,  発光 ,  *励起子
準シソーラス用語： 発光強度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： spacer ,  exciplex ,  exciton recombination zone ,  TPD ,  BPhen

分類 (2件)： 有機化合物のルミネセンス  (BM08094A) ,  発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (5件)： エキシプレックス ,  複合体 ,  励起子 ,  スペーサ層 ,  調節