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J-GLOBAL ID：201702226081064261   整理番号：17A1639093

ゲートエッジ終端を用いた高逆ブロッキング高気圧K/low K化合物不動態化AlGaN/GaN Schottky障壁ダイオードのシミュレーション設計【Powered by NICT】

Simulation design of high reverse blocking high-K/low-K compound passivation AlGaN/GaN Schottky barrier diode with gated edge termination

著者 (5件)： Bai Zhiyuan (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, PR China) ,  Du Jiangfeng (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, PR China) ,  Xin Qi (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, PR China) ,  Li Ruonan (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, PR China) ,  Yu Qi (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, PR China)
資料名： Superlattices and Microstructures  (Superlattices and Microstructures)
巻： 111  ページ： 1000-1009  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0600B  ISSN： 0749-6036  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,新しい高K/low K化合物不動態化AlGaN/GaN Schottky障壁ダイオード(CPG SBD)は高K不動態化層への低Kブロックを追加することによりゲートエッジ終端(GET SBD)を持つAlGaN/GaN Schottky障壁ダイオードのオフ状態特性を改善するために提案する。CPG SBDの逆漏れ電流はGET領域下での5nmの高k誘電体の厚さを薄くすることにより1.6nA/mmに減少させることができるが,順方向電圧とオン状態抵抗は,1V及び3.8Ωmmを維持であった。CPG SBDの破壊電圧は高いK/low K界面における電場の不連続性を誘導することにより改善することができる。低Kの4ブロックを最適化CPG SBDの破壊電圧は,アノード5.9GW/cm~2の高いFOMをカソード距離5μmの1084Vに達した。C-Vシミュレーション結果から,CPG SBDはGET SBDの比較による寄生容量を誘導しなかった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電圧 ,  漏れ電流 ,  電場 ,  最適化 ,  *ダイオード ,  *シミュレーション ,  不連続性 ,  漂遊容量 ,  *不動態化 ,  *Schottky障壁ダイオード ,  界面
準シソーラス用語： 絶縁破壊電圧 ,  オン状態 ,  高k誘電体 ,  *AlGaN/GaN , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： AlGaN/GaN Schottky障壁ダイオード ,  ゲートエッジ終端 ,  高K/low K化合物不動態化 ,  絶縁破壊電圧 ,  逆漏れ電流

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (10件)： ゲート ,  エッジ ,  終端 ,  ブロッキング高気圧 ,  不動態化 ,  AlGaN ,  GaN ,  Schottky障壁ダイオード ,  シミュレーション ,  設計