Bai Zhiyuan について
State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, PR China について
Du Jiangfeng について
State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, PR China について
State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, PR China について
Li Ruonan について
State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, PR China について
State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, PR China について
Superlattices and Microstructures について
電圧 について
漏れ電流 について
電場 について
最適化 について
ダイオード について
シミュレーション について
不連続性 について
漂遊容量 について
不動態化 について
Schottky障壁ダイオード について
界面 について
絶縁破壊電圧 について
オン状態 について
高k誘電体 について
AlGaN/GaN について
AlGaN/GaN Schottky障壁ダイオード について
ゲートエッジ終端 について
高K/low K化合物不動態化 について
絶縁破壊電圧 について
逆漏れ電流 について
トランジスタ について
13-15族化合物を含む半導体-半導体接合 について
ゲート について
エッジ について
終端 について
ブロッキング高気圧 について
不動態化 について
AlGaN について
GaN について
Schottky障壁ダイオード について
シミュレーション について
設計 について