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J-GLOBAL ID：201702226099389548   整理番号：17A1704873

陽電子消滅寿命測定を用いたタングステンの単一空格子点に捕獲された水素原子の定量的評価:実験と理論計算【Powered by NICT】

Quantitative evaluation of hydrogen atoms trapped at single vacancies in tungsten using positron annihilation lifetime measurements: Experiments and theoretical calculations

著者 (11件)： Sato Koichi (Graduate School of Science and Engineering, Kagoshima University, Korimoto, Kagoshima 890-0065, Japan) ,  Hirosako Akira (Graduate School of Science and Engineering, Kagoshima University, Korimoto, Kagoshima 890-0065, Japan) ,  Ishibashi Kazuki (Research Reactor Institute, Kyoto University, Kumatori-cho, Sennan-gun, Osaka 590-0494, Japan) ,  Miura Yuto (Graduate School of Science and Engineering, Kagoshima University, Korimoto, Kagoshima 890-0065, Japan) ,  Xu Qiu (Research Reactor Institute, Kyoto University, Kumatori-cho, Sennan-gun, Osaka 590-0494, Japan) ,  Onoue Masahira (Natural Science Centre for Research and Education, Kagoshima University, Korimoto, Kagoshima 890-0065, Japan) ,  Fukutoku Yasuo (Natural Science Centre for Research and Education, Kagoshima University, Korimoto, Kagoshima 890-0065, Japan) ,  Onitsuka Takashi (Research Institute of Nuclear Engineering, Fukui University, Tsuruga, Fukui 914-0055, Japan) ,  Hatakeyama Masahiko (Graduate School of Science and Engineering for Research, University of Toyama, Gofuku, Toyama 930-8555, Japan) ,  Sunada Satoshi (Graduate School of Science and Engineering for Research, University of Toyama, Gofuku, Toyama 930-8555, Japan) ,  Yoshiie Toshimasa (Research Reactor Institute, Kyoto University, Kumatori-cho, Sennan-gun, Osaka 590-0494, Japan)
資料名： Journal of Nuclear Materials  (Journal of Nuclear Materials)
巻： 496  ページ： 9-17  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0148A  ISSN： 0022-3115  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水素原子を含む空格子点の陽電子消滅寿命(PAL)の変化は,タングステン中のPAL測定を行うことにより調べた。空格子点は電子照射によって導入した,水素原子は高圧水素雰囲気(5.8 MPa)下での荷電した。単一空格子点のPALは約175ps,水素チャージ後に約155psまで減少すると測定された。水素原子を含む単一空格子点のPALは第一原理計算により得られた電子密度を用いて計算した。水素原子を含む空格子点のPALの変化を実験で測定し,シミュレーションで計算し,次に,二値を比較した。空格子点が1個または二個の水素原子(1.6原子の平均)を捕捉したことが分かった。1.19eVの空孔への水素の結合エネルギーは熱平衡状態であり,以前の研究(1.06 eV)により決定した値よりわずかに高いの仮定の下で得られた。不純物の影響はこの不一致を引き起こすと考えられている。PALと結合エネルギーの変化に及ぼす不純物の影響の解明は,単一空格子点にトラップされた水素原子の定量的評価における高い精度をもたらした。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *タングステン ,  *水素 ,  電子照射 ,  結合エネルギー ,  *陽電子消滅 ,  電子密度 ,  熱平衡 ,  不純物 ,  計算
準シソーラス用語： 第一原理計算 ,  水素チャージ ,  高圧水素 ,  *理論計算 ,  *定量的評価 ,  *水素原子 ,  *陽電子寿命 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： タングステン ,  電子照射 ,  空格子点 ,  水素 ,  陽電子消滅 ,  核融合炉材料

分類 (1件)： 金属の格子欠陥  (BK12030F)

タイトルに関連する用語 (8件)： 陽電子消滅寿命 ,  タングステン ,  空格子点 ,  捕獲 ,  水素原子 ,  定量的評価 ,  実験 ,  理論計算