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J-GLOBAL ID：201702226105124980   整理番号：17A0451633

その場Heイオン照射下での銅における気泡格子形成に及ぼす温度の影響【Powered by NICT】

The effect of temperature on bubble lattice formation in copper under in situ He ion irradiation

著者 (8件)： Robinson Aidan M (University of Oxford, Department of Materials, Parks Road, Oxford OX1 3PH, UK) ,  Edmondson Philip D (University of Oxford, Department of Materials, Parks Road, Oxford OX1 3PH, UK) ,  English Colin (NNL, Culham Science Centre, Abingdon, Oxfordshire OX14 3DB, UK) ,  Lozano-Perez Sergio (University of Oxford, Department of Materials, Parks Road, Oxford OX1 3PH, UK) ,  Greaves Graeme (School of Computing and Engineering, University of Huddersfield, HD1 3DH, UK) ,  Hinks Jonathan A (School of Computing and Engineering, University of Huddersfield, HD1 3DH, UK) ,  Donnelly Stephen E (School of Computing and Engineering, University of Huddersfield, HD1 3DH, UK) ,  Grovenor Chris R M (University of Oxford, Department of Materials, Parks Road, Oxford OX1 3PH, UK)
資料名： Scripta Materialia  (Scripta Materialia)
巻： 131  ページ： 108-111  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0915A  ISSN： 1359-6462  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 透過型電子顕微鏡におけるその場イオン照射は,低エネルギー(12keV)ヘリウムイオンによるCu中の放射線誘起気泡格子形成に及ぼす温度の影響を調べるために用いた。気泡格子は 100°Cと100°Cの間で形成することが観察されたが,200°Cでの格子形成は気泡の継続的成長と凝集により妨げられた。,及び程度は低いが気泡格子形成に,気泡の核形成は温度増加,増加した点欠陥の移動性によることを示唆するとして低フルエンスで観測された。照射した銅中の点欠陥濃度についての以前の研究は,これらの結果を解釈する時には,考慮した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 透過型電子顕微鏡 ,  核形成 ,  *銅 ,  格子間原子 ,  点欠陥 ,  *気泡 ,  *格子形成 ,  放射線 ,  *イオン照射 ,  フルエンス
準シソーラス用語： 移動性 ,  ヘリウムイオン ,  低エネルギー , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 気泡格子 ,  自己格子間原子 ,  in situイオン照射 ,  銅

分類 (1件)： 金属の格子欠陥  (BK12030F)

タイトルに関連する用語 (5件)： He ,  イオン照射 ,  銅 ,  気泡 ,  格子形成