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J-GLOBAL ID：201702226116795879   整理番号：17A1092087

ケステライト吸収層の欠点,彼らは工業的スケーラビリティに影響を及ぼす可能性があるかのマッピングと比較【Powered by NICT】

Mapping and comparison of the shortcomings of kesterite absorber layers, and how they could affect industrial scalability

著者 (4件)： Aninat Remi (Abengoa, C/Energia Solar 1, 41013 Sevilla, Spain) ,  Quesada-Rubio Luis-Enrique (Abengoa, C/Energia Solar 1, 41013 Sevilla, Spain) ,  Sanchez-Cortezon Emilio (Abengoa, C/Energia Solar 1, 41013 Sevilla, Spain) ,  Delgado-Sanchez Jose-Maria (Abengoa, C/Energia Solar 1, 41013 Sevilla, Spain)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 633  ページ： 146-150  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 薄膜太陽電池のためのKesterite吸収体層はコストと材料の豊度の観点から有望であるが,まだデバイス効率の点でCu(In,Ga)(S,Se)2の背後にある比較的はるかに遅れを取っている。これは大規模生産の可能性に関する疑問を提起する。本研究では,工業的作製のためのCu_2ZnSnSe_4,Cu_2ZnSnS_4またはCu_2ZnSn(S,Se)4の既存の物理蒸着プロセスのスケールアップの挑戦を評価することを目的としている。黄錫亜鉛鉱とその原因に影響する主な問題点は性能のための臨界の観点からリストアップし優先,設計故障モード影響解析の方法論を使用している。この解析は,特に,バンドギャップとポテンシャルゆらぎは,今までのところ,吸収体のための最も重要な危険因子のために,我々の理解の現状を防止できないことを示した。黄錫亜鉛鉱で知られている作製方法に獲得された知識を適用して,これらの欠点のいくつかは前駆体中の不適当な金属比と黄錫亜鉛鉱製造プロセスにおけるSn損失に特にによる吸収体から発生するかを分析する。今日までの最も効率的なデバイスでは,この損失は工業的Cu(In,Ga)(S,Se)2製造のために開発した1段階プロセス(同時蒸着,反応性スパッタリング)は歴史的には何の逐次経路(すなわち,析出/セレン化)を強制する。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 物理蒸着 ,  同時蒸着 ,  危険因子 ,  スケールアップ ,  反応性スパッタリング ,  FMEA ,  前駆体 ,  *スズ ,  バンドギャップ ,  吸収体 ,  生産工程 ,  亜鉛鉱
準シソーラス用語： セレン化反応 ,  ポテンシャル揺らぎ ,  薄膜太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ケステライト ,  CZTS ,  スケールアップ ,  FMEA ,  物理蒸着

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (7件)： ケステライト ,  吸収層 ,  欠点 ,  工業 ,  スケーラビリティ ,  可能性 ,  マッピング