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J-GLOBAL ID：201702226173060055   整理番号：17A0411977

水溶液中でのCr(VI)の効果的な光電気化学的還元のためのp型Siウエハ上に立つSiナノワイヤ上の表面ナノ細孔の構造化による階層構造光電陰極の作製【Powered by NICT】

Fabrication of the hierarchical structure photocathode by structuring the surface nanopores on Si nanowires standing on p-Si wafer for the effective photoelectrochemical reduction of Cr(VI) in the aqueous solution

著者 (5件)： Wu Shuai (Key Laboratory of Industrial Ecology and Environmental Engineering (Ministry of Education, China), School of Environmental Science and Technology, Dalian University of Technology, Dalian 116024, China) ,  Yu Hongtao (Key Laboratory of Industrial Ecology and Environmental Engineering (Ministry of Education, China), School of Environmental Science and Technology, Dalian University of Technology, Dalian 116024, China) ,  Lu Na (Key Laboratory of Industrial Ecology and Environmental Engineering (Ministry of Education, China), School of Electrical Engineering, Dalian University of Technology, Dalian 116024, China) ,  Quan Xie (Key Laboratory of Industrial Ecology and Environmental Engineering (Ministry of Education, China), School of Environmental Science and Technology, Dalian University of Technology, Dalian 116024, China) ,  Chen Shuo (Key Laboratory of Industrial Ecology and Environmental Engineering (Ministry of Education, China), School of Environmental Science and Technology, Dalian University of Technology, Dalian 116024, China)
資料名： Separation and Purification Technology  (Separation and Purification Technology)
巻： 175  ページ： 454-459  発行年： 2017年 
JST資料番号： T0428B  ISSN： 1383-5866  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ここでは,それらの表面上にナノ細孔(10nm以下)を構造化によるSiナノ材料(Siナノワイヤアレイ(SiNW,直径の約100nm)を代表として)の酸化不動態化を阻害する方法を報告した。SiNWアレイを金属支援化学エッチングにより調製した。30分間のエッチング後,ナノ細孔はSiNWの表面上に形成し,ナノ細孔の量はエッチング時間の延長と共に増加した。ナノ細孔の生成のために,光反射の減少が観察された。3060および90分間のエッチング後に調製した試料の光電気化学性能を評価した。60分間エッチされた試料は最も高く,安定した光電流をdisplaidおよび光電気触媒試験に使用した。ナノ細孔を有するSiNWは,SiNWのそれよりも有意に光電気触媒安定性を示した。ナノ細孔を有するSiNW上のCr(VI)還元の反応速度定数は0.081分間~ 1,SiNW(0.045cm~ 1)の1.8倍であり,三反復実験後0.080分~ 1以上を維持した。これらの結果は,SiNWの表面上の表面ナノ細孔を構築する水溶液中の光電極としてSi材料の使用を実現するための有効なアプローチであることを実証した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ナノワイヤ ,  光電流 ,  *六価クロム ,  反応速度定数 ,  *カソード還元 ,  光電極 ,  光反射 ,  *構造形成 ,  不動態化 ,  *ケイ素 ,  *光電気化学 ,  *階層構造 ,  *水溶液
準シソーラス用語： 化学エッチング ,  *ナノ細孔 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 階層構造 ,  ナノ細孔 ,  Siナノワイヤ ,  光電陰極 ,  光電気化学安定性

分類 (3件)： 膜分離  (XD02120Z) ,  吸着,イオン交換  (XD02060I) ,  下水,廃水の物理的処理  (SC03040L)

タイトルに関連する用語 (12件)： 水溶液 ,  Cr ,  光電気 ,  化学的還元 ,  P型Si ,  ウエハ ,  Si ,  ナノワイヤ ,  ナノ細孔 ,  階層構造 ,  光電陰極 ,  作製