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J-GLOBAL ID：201702226218693714   整理番号：17A0462352

グラフィンとグラフジインの光電子物性の調整: 窒素/硫黄の共ドーピング対酸素含有官能基

Tailoring the optoelectronic properties of graphyne and graphdiyne: nitrogen/sulfur dual doping versus oxygen containing functional groups

著者 (2件)： MOHAJERI Afshan (Shiraz Univ., Shiraz, IRN) ,  SHAHSAVAR Azin (Shiraz Univ., Shiraz, IRN)
資料名： Journal of Materials Science  (Journal of Materials Science)
巻： 52  号： 9  ページ： 5366-5379  発行年： 2017年05月 
JST資料番号： B0722A  ISSN： 0022-2461  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 修正グラフィン(GY)とグラフジイン(GDY)の電子構造の調整と光学特性のエンジニアリングを,第一原理密度汎関数理論(DFT)計算により調べた。Gy/GDYナノフレークに対し,二つの処理を施した。一つはカルボニル基とカルボキシル基での末端官能化である。もう一つはN,S原子の共ドープである。エネルギーギャップの調整に不純物の濃度が重要な影響を与えた。ナノフレークのエネルギーギャップは,カルボニル基濃度を変えることで約1.20eVの範囲で調整可能だが,カルボキシル基では変化が無かった。N,Sドーピングはレベルによりエネルギーギャップを0.11~0.68eVで制御可能であった。共ドープでS原子は正孔を,そしてN原子は電子をそれぞれドープする。修正Gy/GDYナノフレークの調整可能な光学応答はUV光防護デバイスとしての適用可能性を示す。

シソーラス用語： *炭素材 ,  電子構造 ,  光学的性質 ,  計算 ,  第一原理 ,  密度汎関数法 ,  ナノ構造 ,  フレーク ,  カルボニル基 ,  カルボキシ基 ,  末端基 ,  官能化 ,  窒素 ,  硫黄 ,  ドーピング ,  *エネルギーギャップ ,  不純物濃度 ,  濃度依存性 ,  正孔 ,  電子 ,  *添加物効果
準シソーラス用語： *グラフィン ,  *グラフジイン ,  ナノフレーク ,  共ドーピング ,  正孔ドーピング ,  第一原理計算 ,  電子ドーピング

分類 (3件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  無機化合物の可視・紫外スペクトル  (BM08084P) ,  分子の電子構造  (BH05010Q)

タイトルに関連する用語 (8件)： グラフィン ,  グラフジイン ,  光電子物性 ,  窒素 ,  硫黄 ,  共ドーピング ,  酸素 ,  官能基