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J-GLOBAL ID：201702226219341379   整理番号：17A0911196

厚Al_2O_3パッシベーション層を用いた透明多結晶ダイヤモンド電界効果トランジスタと強化された耐久性における高電圧応力誘起【Powered by NICT】

High Voltage Stress Induced in Transparent Polycrystalline Diamond Field-Effect Transistor and Enhanced Endurance Using Thick Al₂O₃ Passivation Layer

著者 (5件)： Syamsul Mohd (Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Tokyo, Japan) ,  Kitabayashi Yuya (Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Tokyo, Japan) ,  Kudo Takuya (Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Tokyo, Japan) ,  Matsumura Daisuke (Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Tokyo, Japan) ,  Kawarada Hiroshi (Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Tokyo, Japan)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 38  号： 5  ページ： 607-610  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 透明多結晶ダイヤモンド電界効果トランジスタ(FET)を室温測定,1000V以上の比較的高い最大電流密度と高い絶縁破壊電圧を示す作製し測定した。厳しいストレス環境は50回の連続サイクル500V電圧ストレス法を用いたFETの簡単で時間効率信頼性応力測定のために提案した。400nm厚Al_2O_3対破壊不動態化層は応力測定のためのFETに実装した。広いゲート-ドレイン長(L_GD)をもつデバイスを50%だけ低減最大電流密度による過酷な応力測定後のFET特性を保持していた。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *耐久性 ,  信頼性 ,  *不動態化 ,  電流密度 ,  応力測定 ,  *FET【トランジスタ】
準シソーラス用語： 電圧ストレス ,  絶縁破壊電圧 ,  *多結晶ダイヤモンド , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： 厚 ,  パッシベーション層 ,  多結晶ダイヤモンド ,  電界効果トランジスタ ,  強化 ,  高電圧 ,  応力 ,  誘起