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J-GLOBAL ID：201702226237017310   整理番号：17A1781635

ロードマップの最新の末端,Siを越えたとCMOS技術を超えたへの挑戦【Powered by NICT】

Challenges for advanced end of the roadmap, beyond Si and beyond CMOS technologies

著者 (2件)： Claeys C. (imec, Kapeldreef, 75, 3001 Leuven, Belgium) ,  Simoen E. (imec, Kapeldreef, 75, 3001 Leuven, Belgium)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： SBMicro  ページ： 1-6  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 将来技術は,材料,プロセスモジュールとデバイスアーキテクチャ上での厳しい要求をした。設計tunnelFETs及びナノワイヤのような垂直デバイスの将来の使用を支持する。シリコンプラットフォーム上のGeおよびIII-V技術の非均質集積が,システムオンチップ応用を制作可能になるが,機能性の増加は3D集積化により達成された。も2D材料とデバイス,スピントロニクスおよび神経形態学的コンピューティングの使用における傾向と進展に注意を払った。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： ゲルマニウム ,  ナノワイヤ ,  *ケイ素 ,  計算 ,  スピントロニクス
準シソーラス用語： 三次元集積化 ,  機能性 ,  システムオンチップ ,  *CMOS技術 ,  *ロードマップ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： ロードマップ ,  Si ,  CMOS技術