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J-GLOBAL ID：201702226356478473   整理番号：17A1134601

量子材料用のアクティブ結晶成長技術

Active Crystal Growth Techniques for Quantum Materials

著者 (2件)： SCHMEHR Julian L. (Univ. California, California) ,  WILSON Stephen D. (Univ. California, California)
資料名： Annual Review of Materials Research  (Annual Review of Materials Research)
巻： 47  ページ： 153-174  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0856A  ISSN： 1531-7331  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 結晶を成長させる方法は多数存在する。本論文では,高純度の量子材料を作製するための結晶成長技術についてレビューした。特に,材料合成を可能にし,新しい相の発見の最先端の分野の開発に寄与する機器に焦点を合わせた。結晶の核形成のアクティブ制御を可能にし,量子材料における非通常の電子状態の説明に必要な結晶品質/純度の持続した改善を促進する方法に重点を置いた。特に,高純度光学的浮遊融解(OFZ)法と高純度Czochralski法の進歩をレビューし,それぞれにより駆動された顕著な進歩と発見を強調した。成長後の材料処理と精製技術における進歩についても論じた。これらは微妙な量子状態をホストするために材料プラットフォームを調節するためにしばしば必要である。

シソーラス用語： *核形成 ,  *浮遊融解 ,  *Czochralski法 ,  アクティブ制御 ,  材料 ,  光学系 ,  誘導加熱 ,  単結晶 ,  カプセル封じ ,  エレクトロトランスポート ,  焼なまし ,  後処理
準シソーラス用語： 材料開発 ,  *量子材料

分類 (1件)： 結晶成長技術・装置  (BK13020B)

タイトルに関連する用語 (2件)： 量子 ,  結晶成長