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J-GLOBAL ID：201702226438444200   整理番号：17A1921720

溶液法酸化物薄膜トランジスタの印刷調製【JST・京大機械翻訳】

Oxide semiconductor thin film transistor device print fabrication based on solution method

著者 (11件)： Zhong Yunxiao (華南理工大学高分子光電材料与器件研究所発光材料与器件国家重点実験室材料科学与工程学院,广東 广州,510640) ,  Xie Yu (華南理工大学高分子光電材料与器件研究所発光材料与器件国家重点実験室材料科学与工程学院,广東 广州,510640) ,  Zhou Shangxiong (華南理工大学高分子光電材料与器件研究所発光材料与器件国家重点実験室材料科学与工程学院,广東 广州,510640) ,  Yuan Weijian (華南理工大学高分子光電材料与器件研究所発光材料与器件国家重点実験室材料科学与工程学院,广東 广州,510640) ,  Shi Muyang (華南理工大学高分子光電材料与器件研究所発光材料与器件国家重点実験室材料科学与工程学院,广東 广州,510640) ,  Yao Rihui (華南理工大学高分子光電材料与器件研究所発光材料与器件国家重点実験室材料科学与工程学院,广東 广州,510640) ,  Ning Honglong (華南理工大学高分子光電材料与器件研究所発光材料与器件国家重点実験室材料科学与工程学院,广東 广州,510640) ,  Xu Miao (華南理工大学高分子光電材料与器件研究所発光材料与器件国家重点実験室材料科学与工程学院,广東 广州,510640) ,  Wang Lei (華南理工大学高分子光電材料与器件研究所発光材料与器件国家重点実験室材料科学与工程学院,广東 广州,510640) ,  Lan Linfeng (華南理工大学高分子光電材料与器件研究所発光材料与器件国家重点実験室材料科学与工程学院,广東 广州,510640) ,  Peng Junbiao (華南理工大学高分子光電材料与器件研究所発光材料与器件国家重点実験室材料科学与工程学院,广東 广州,510640)
資料名： Yejing yu Xianshi  (Yejing yu Xianshi)
巻： 32  号： 6  ページ： 443-454  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1519A  ISSN： 1007-2780  CODEN： YYXIFY  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 溶液法印刷による電子デバイスの調製は、グリーン環境に優しく、低コスト、簡単な流動性、柔軟性及び強い適応性などの優れた特性を有するため、世界各国の注目を集め、特に高性能薄膜トランジスタは平板表示と消費電子業界の敷石であり、更に研究の焦点となっている。本報では,溶液法に基づく酸化物薄膜トランジスタの最近の研究進展をレビューし,印刷酸化物薄膜トランジスタの構造最適化,半導体層材料,電極層材料,絶縁層材料及び関連前駆体の選択を詳細に議論し,デバイス性能を向上させる鍵を指摘した。デバイスの後処理と安定性の関係を明らかにした。最後に、印刷物の調製と応用の過程における酸化物薄膜トランジスタの問題と発展の将来性をまとめた。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *印刷 ,  適応性 ,  *酸化物 ,  構造最適化 ,  印刷物 ,  前駆体 ,  流動性 ,  半導体 ,  *薄膜トランジスタ ,  後処理 ,  柔軟性
準シソーラス用語： 絶縁層 ,  電子素子 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 溶液過程 ,  酸化物半導体薄膜トランジスタ ,  印刷製作 ,  precursors ,  後処理

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 溶液 ,  酸化物薄膜 ,  トランジスタ ,  調製