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J-GLOBAL ID：201702226496033634   整理番号：17A1716954

青色phosphorene/graphene様GaN van der Waalsヘテロ構造の電子構造と光学的性質【Powered by NICT】

Electronic structure and optical properties for blue phosphorene/graphene-like GaN van der Waals heterostructures

著者 (8件)： Guo Jingjing (Henan Key Laboratory of Photovoltaic Materials, School of Physics and Materials Science, Henan Normal University, Xinxiang 453007, China) ,  Zhou Zhongpo (Henan Key Laboratory of Photovoltaic Materials, School of Physics and Materials Science, Henan Normal University, Xinxiang 453007, China) ,  Zhou Zhongpo (Key Laboratory of Artificial Micro- and Nano-structures of Ministry of Education, School of Physics and Technology, Wuhan University, Wuhan 430072, China) ,  Zhou Zhongpo (Department of Electrical Engineering, University of California, Los Angeles, CA 90095, USA) ,  Wang Tianxing (Henan Key Laboratory of Photovoltaic Materials, School of Physics and Materials Science, Henan Normal University, Xinxiang 453007, China) ,  Lu Zhansheng (Henan Key Laboratory of Photovoltaic Materials, School of Physics and Materials Science, Henan Normal University, Xinxiang 453007, China) ,  Yang Zongxian (Henan Key Laboratory of Photovoltaic Materials, School of Physics and Materials Science, Henan Normal University, Xinxiang 453007, China) ,  Liu Chang (Key Laboratory of Artificial Micro- and Nano-structures of Ministry of Education, School of Physics and Technology, Wuhan University, Wuhan 430072, China)
資料名： Current Applied Physics  (Current Applied Physics)
巻： 17  号： 12  ページ： 1714-1720  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1579A  ISSN： 1567-1739  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,密度汎関数理論に基づいた第一原理計算は青色phosphorene/grapheneのようなGaN van der Waalsヘテロ構造の界面特性を探究するために実施した。青色ホスホレンとグラフェン状GaNナノシートの価電子帯と伝導帯のエッジ位置はFermiエネルギー準位によって変化する,そしてII型ヘテロ構造を形成した。内部電場は電子-正孔対の分離を促進し,青色phosphorene/grapheneのようなGaN界面におけるキャリア再結合を抑制した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *光学的性質 ,  密度汎関数法 ,  伝導バンド ,  界面 ,  価電子バンド ,  電子正孔対 ,  キャリア再結合 ,  *窒化ガリウム ,  グラフェン ,  *電子構造 ,  Fermi準位
準シソーラス用語： 内部電場 ,  界面特性 ,  第一原理計算 ,  *ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 青色ホスホレン ,  グラフェン状GaN ,  van der Waalsヘテロ構造

分類 (3件)： 振動論  (BB02020O) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  分子の電子構造  (BH05010Q)

タイトルに関連する用語 (6件)： 青色 ,  GaN ,  VAN ,  ヘテロ構造 ,  電子構造 ,  光学的性質