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J-GLOBAL ID：201702226532302881   整理番号：17A1259602

放射電力6.3dBmを用いたレンズ統合430GHz SiGeH BT源【Powered by NICT】

A lens-integrated 430 GHz SiGe HBT source with up to -6.3 dBm radiated power

著者 (5件)： Hillger Philipp (IHCT, University of Wuppertal, Germany) ,  Grzyb Janusz (IHCT, University of Wuppertal, Germany) ,  Malz Stefan (IHCT, University of Wuppertal, Germany) ,  Heinemann Bernd (IHP, Frankfurt (Oder), Germany) ,  Pfeiffer Ullrich (IHCT, University of Wuppertal, Germany)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： RFIC  ページ： 160-163  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 300GHz/450GHzのf_T/f_max0.13μm SiGe BiCMOS技術で実現した430GHz源を紹介した。源を発生させた2~Nd高調波電流を高めるためにエミッタ出力での誘導2~Nd高調波フィードバックを利用した平衡共通コレクタ逓倍器を駆動する215GHzで基本微分Colpittsカスコード発振器から構成されている。逓倍器は2倍器出力に適した入力インピーダンスを提供するレンズ結合オンチップ円形スロットアンテナを用いたCo設計されている。3mm直径シリコンレンズと組み合わせて,全ピーク放射パワーは165mWの電力消費で6.3dBmである。著者の知る限りでは,提示された発生源は350GHzを超えた,シリコンをベースにした単一素子放熱器の報告された最高の能力を示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： スロットアンテナ ,  高調波電流 ,  ケイ素 ,  発振器 ,  *放射電力 ,  高調波 ,  放熱器 ,  *レンズ ,  電力消費 ,  フィードバック ,  入力インピーダンス
準シソーラス用語： 発生源 ,  オンチップ ,  カスコード ,  SiGe BiCMOS , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 周波数変換回路  (NC05030J)

タイトルに関連する用語 (4件)： 放射電力 ,  レンズ ,  統合 ,  BT