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J-GLOBAL ID：201702226536211632   整理番号：17A0697879

異なる形態を持つパターン化SnO_2ナノ構造の形態制御合成と電界放出特性【Powered by NICT】

Morphology-controlled synthesis and field-emission properties of patterned SnO₂ nanostructures with different morphologies

著者 (6件)： Ma L.A. (School of materials science and Engineering, Fujian University of Technology, Fuzhou 350108, PR China) ,  Wei Z.H. (School of materials science and Engineering, Fujian University of Technology, Fuzhou 350108, PR China) ,  Ye X.Y. (School of materials science and Engineering, Fujian University of Technology, Fuzhou 350108, PR China) ,  Lin J.Y. (School of information science and Engineering, Fujian University of Technology, Fuzhou 350108, PR China) ,  Hu L.Q. (Institutes of Optoelectronics and Displays Technology, Fuzhou University, Fuzhou 350002, PR China) ,  Guo T.L. (Institutes of Optoelectronics and Displays Technology, Fuzhou University, Fuzhou 350002, PR China)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 43  号： 8  ページ： 6096-6104  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 異なる形態を持つ酸化すずナノ構造アレイを簡単な熱蒸着法によりステンレス鋼メッシュ基板上に成長させた。SnO_2ナノ構造は成長温度とN_2/O_2流れのパラメータを制御することでナノコーン,ナノニードル,マイクロロッド,超長ナノワイヤ,細いナノロッドへナノベルトから容易に変化できることが分かった。蒸気-液体-固体(VLS)ベース成長と気相-固相(VS)-先端成長を組み合わせたモデルは,マニホールド形態を持つSnO_2ナノ構造の成長を説明するために提案した。電界放出(FE)研究は,これらのパターン化SnO_2ナノ構造の形態をFE特性にかなりの影響を持つことを明らかにした。これらナノ構造の中で,超長ナノワイヤアレイは最低のターンオン電界(~0.47V/um)と最高の電界増強因子(8848)を有していた。より重要なことは,超長ナノワイヤエミッタは2.7%以内の優れたFE安定性を示した。強化されたFE特性は,超長ナノワイヤエミッタ,その小さい面積密度と最も高いアスペクト比の整列した構造(12000)から生じる相乗効果に起因すると考えられる。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *電界放出 ,  アスペクト比 ,  *パターン形成 ,  ナノワイヤ ,  酸化スズ ,  相乗作用 ,  *ナノ構造 ,  ナノロッド ,  真空蒸着 ,  *形状制御 ,  *電場
準シソーラス用語： ターンオン電界 ,  ナノワイヤアレイ ,  ナノベルト ,  ナノコーン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 酸化すず ,  熱蒸発 ,  電界放出

分類 (2件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 形態 ,  パターン化 ,  ナノ構造 ,  形態制御 ,  電界放出