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J-GLOBAL ID：201702226551635325   整理番号：17A1254656

近似計算のためのSTT-MRAMの利用【Powered by NICT】

Exploiting STT-MRAM for approximate computing

著者 (5件)： Sayed Nour (Karlsruhe Institute of Technology (KIT), Germany) ,  Oboril Fabian (Karlsruhe Institute of Technology (KIT), Germany) ,  Shirvanian Azadeh (Karlsruhe Institute of Technology (KIT), Germany) ,  Bishnoi Rajendra (Karlsruhe Institute of Technology (KIT), Germany) ,  Tahoori Mehdi B. (Karlsruhe Institute of Technology (KIT), Germany)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ETS  ページ： 1-6  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スピン移動トルク磁気RAM(STT MRAM)は新興の不揮発性メモリ技術とプロセッサキャッシュにおけるSRAMを代替する可能性のある候補である。しかし,STT-MRAMは高い書き込み待ち時間と高い書き込みエネルギー消費エネルギー効率の良いオンチップキャッシュのための取り組まなければならない,という問題を抱えている。STT-MRAMの不揮発性特性はSTT-MRAMの書込みレイテンシとエネルギーの両方を改善するために熱安定性因子を減少させることにより緩和できる。しかし,これは保持障害と読出し攪乱速度キャッシュに格納されている誤ったデータをもたらすの増加をもたらした。この問題は,そのような誤差は,アプリケーションレベルでの許容できる近似計算の範囲で緩和する自然にできた。本論文では,STT-MRAM技術は顕著な利得をもつ許容レベルの正しさを達成するための技術と応用パラメータを調整することによって近似計算のための効率的に利用できるかを示した。結果は,筆者らの提案した近似計算フレームワーク,アクセス書込みレイテンシとエネルギーを用いて25%と70%にまで改善できることを示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *キャッシュメモリ ,  不揮発性メモリ ,  許容量 ,  エネルギー効率 ,  SRAM ,  非揮発性 ,  磁気 ,  待ち時間 ,  熱安定性 ,  利得 ,  エネルギー消費
準シソーラス用語： 読出し ,  スピントルク ,  *近似計算 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  記憶方式  (JC02040V)

タイトルに関連する用語 (2件)： 近似計算 ,  STT-MRAM