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J-GLOBAL ID：201702226564485311   整理番号：17A1384330

LiBH_4(010)表面上の水素脱着に及ぼすV_LiとTiドーピングの相乗効果:第一原理研究【Powered by NICT】

Synergic effects of V_Li and Ti doping on hydrogen desorption on LiBH₄ (010) surface: A first-principles investigation

著者 (4件)： Wang Hai-Chen (School of Chemistry and Chemical Engineering, Guangxi University, Nanning, 530004, China) ,  Yao Xiao-Jing (School of Chemistry and Chemical Engineering, Guangxi University, Nanning, 530004, China) ,  Yang Yan (School of Chemistry and Chemical Engineering, Guangxi University, Nanning, 530004, China) ,  Tang Bi-Yu (School of Chemistry and Chemical Engineering, Guangxi University, Nanning, 530004, China)
資料名： International Journal of Hydrogen Energy  (International Journal of Hydrogen Energy)
巻： 42  号： 29  ページ： 18442-18451  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0192B  ISSN： 0360-3199  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： TiドーピングとLi空格子点(V_Li)はLiBH_4表面の脱水素特性に決定的な影響を与える。しかし,個々のTiまたはV_Liに関する理論的研究は実験結果を完全に説明できなかった。LiBH_4(010)表面の脱水素特性に及ぼす共存TiとV_Liの相乗効果を調べた。著者らの結果は,Ti ドーパントとLi空格子点間の相互安定化を示し,TiとV_Liの期待共存を意味している。複合Ti+V_Li欠陥からの熱力学的不安定化は単一TiまたはV_Liからのそれよりも良く実験と一致した。Ti+V_Li修飾表面に速度論的障壁も実験結果に近くなった。,共存するTiとV_LiはLiBH_4表面上での脱水素の熱力学と速度論に影響する相乗的に決定的。電子構造はさらに強いHH,BB,およびTiB結合だけでなく,Ti+V_Li共存表面上の遷移状態における弱められたBH結合,低速度障壁の主要因であることを明らかにした。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： ドーパント ,  速度論 ,  *相乗作用 ,  *リチウム ,  電子構造 ,  *第一原理 ,  ヒドリドホウ酸リチウム ,  熱力学 ,  *チタン ,  遷移状態 ,  脱水素
準シソーラス用語： 不安定化 ,  *水素脱着 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 密度関数理論 ,  ヒドリドほう酸リチウム ,  速度論的障壁 ,  複合欠陥 ,  水素脱離

分類 (2件)： その他の金属組織学  (WB01040Y) ,  気体燃料の輸送,供給,貯蔵  (YE02060M)

タイトルに関連する用語 (6件)： 水素脱着 ,  Ti ,  ドーピング ,  相乗効果 ,  第一原理 ,  研究