文献

J-GLOBAL ID：201702226580143365   整理番号：17A1488502

磁場のもとでの構造異方性を有する単一量子ドットにおける分子状態の証拠【Powered by NICT】

Evidence of molecular states in single quantum dots with structural anisotropy under magnetic fields

著者 (2件)： Gelvez A.L. (Escuela de Fisica, Universidad Industrial de Santander, A.A 678., Bucaramanga, Colombia) ,  Gutierrez W. (Escuela de Fisica, Universidad Industrial de Santander, A.A 678., Bucaramanga, Colombia)
資料名： Superlattices and Microstructures  (Superlattices and Microstructures)
巻： 109  ページ： 337-344  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0600B  ISSN： 0749-6036  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,InAs/GaAsの自己組織化量子ドットの構造異方性の影響の解析について報告し,電子のエネルギースペクトルと成長方向に沿って印加した外部磁場の存在下で。異方性は方位角に関してドット高さの周期的変化によりモデル化した。最初に,断熱近似の適用によって完全に分解できることを軸対称レンズ形量子ドットの問題を検討した。第2に,軸対称レンズ状ドットの解に基づくGalerkin法を用いて異方性量子ドットの問題を解決した。対称性C2とC4を有する構造物のための,等方性事例で観察されたレベルの変性は破壊され,回転対称性の破壊に起因するレベルの間に現れている抗交雑することを見出した。異なる異方性配置のための量子ドット,磁場の強さ,ドットサイズの関数としての低準位状態に対応するエネルギー準位の依存性を解析した。著者らの結果は,単一QDにおけるいくつかの構造的異方性の存在は,結合量子ドットの系に発生したような分子状態を生成する可能性があることを明らかにした。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 軸対称性 ,  *量子ドット ,  方位角 ,  ヒ化インジウム ,  エネルギー準位 ,  レンズ ,  エネルギー分布 ,  等方性 ,  モデリング ,  ヒ化ガリウム ,  外部磁場 ,  自己組織化 ,  *異方性
準シソーラス用語： 回転対称性 ,  *構造異方性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 一電子量子ドット ,  エネルギースペクトル ,  分子状態 ,  構造異方性の影響 ,  Galerkin法

分類 (1件)： 金属結晶の磁性  (BM06040T)

タイトルに関連する用語 (5件)： 磁場 ,  構造異方性 ,  単一量子ドット ,  分子 ,  証拠