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J-GLOBAL ID：201702226723495786   整理番号：17A1193789

Pt/NiO/Pt抵抗スイッチングセルにおける量子点接触の出現

Appearance of quantum point contact in Pt/NiO/Pt resistive switching cells

著者 (3件)： NISHI Yusuke (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  SASAKURA Hiroki (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  KIMOTO Tsunenobu (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名： Journal of Materials Research  (Journal of Materials Research)
巻： 32  号： 14  ページ： 2631-2637  発行年： 2017年07月28日 
JST資料番号： D0987B  ISSN： 0884-2914  CODEN： JMREEE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 抵抗変化型メモリ(ReRAM)は次世代不揮発性メモリとして期待されている。ReRAMにおける重要な現象は抵抗スイッチング(RS)であり,遷移金属酸化物(TMO)セルに基づいたReRAMのRS機構は,導電性フィラメントの生成と破壊により説明される。本研究では,Pt/NiO/Ptセルに形成する特徴とのNiO層の微細組織の関連性について調べた。Pt/NiO/Pt RSセルにおける量子点接触(QPC)を含む導電性フィラメントがセミフォーミングにより生成するのが確認された。量子化コンダクタンスの出現条件は,NiOにおけるO対Ni比率と関連することが示唆された。種々のサイズのRSセルから得た生成特性に基づいたRSモデルを提案した。

シソーラス用語： *RAM【メモリ】 ,  記憶装置 ,  スイッチング ,  不揮発性メモリ ,  電気抵抗 ,  点接触 ,  *微細構造 ,  酸化ニッケル ,  酸化物 ,  遷移金属化合物 ,  白金 ,  反応性スパッタリング ,  RFスパッタリング ,  酸素 ,  フィラメント ,  電子顕微鏡観察 ,  透過型走査電子顕微鏡 ,  抵抗スイッチングメモリ ,  *抵抗スイッチング ,  遷移金属酸化物 ,  酸素流量 ,  導電性フィラメント ,  透過型電子顕微鏡法 ,  流量依存性 ,  HAADF-STEM ,  抵抗変化メモリ
準シソーラス用語： ReRAM ,  抵抗変化型メモリ ,  *量子点接触

分類 (1件)： 電子・磁気・光学記録  (NC06020F)

タイトルに関連する用語 (5件)： PT ,  NiO ,  抵抗スイッチング ,  セル ,  量子点接触