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J-GLOBAL ID:201702226733147900   整理番号:17A1857316

InGaAsN/GaAs量子井戸の性能に及ぼすBeドーピングの影響を研究した。【JST・京大機械翻訳】

Improvement of Properties of GaAs-based Dilute Nitrides by Beryllium Doping
著者 (8件):
資料名:
巻: 38  号:ページ: 1056-1062  発行年: 2017年 
JST資料番号: W1380A  ISSN: 1000-7032  CODEN: FAXUEW  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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InGaAsN/GaAs量子井戸におけるベリリウム(Be)元素の再ドーピングは,光学的性質を著しく向上させることができた。赤方偏移をX線回折により明らかにし,ベリリウムドーピングがInGaAsN(Be)/GaAs量子井戸のアニーリング過程における応力解放を抑制することを明らかにした。アニーリング前に,アニーリング後に,ベリリウムをドープしない量子井戸試料の量子井戸のX線ロッキング曲線の回折ピークは,GaAs基板のピークにシフトした。しかし、ベリリウムをドープした量子井戸サンプルにとって、このようなシフトは非常に小さい。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (3件):
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半導体のルミネセンス  ,  半導体レーザ  ,  半導体薄膜 
タイトルに関連する用語 (5件):
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