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J-GLOBAL ID：201702226733147900   整理番号：17A1857316

InGaAsN/GaAs量子井戸の性能に及ぼすBeドーピングの影響を研究した。【JST・京大機械翻訳】

Improvement of Properties of GaAs-based Dilute Nitrides by Beryllium Doping

著者 (8件)： Huo Dayun (蘇州大学 光電信息科学与工程学院,蘇州納米科技協同創新中心,江蘇 蘇州 215006;蘇州大学 江蘇省先進光学技術重点実験室,教育部現代光学技術重点実験室,江蘇 蘇州 215006) ,  Shi Zhenwu (蘇州大学 光電信息科学与工程学院,蘇州納米科技協同創新中心,江蘇 蘇州 215006;蘇州大学 江蘇省先進光学技術重点実験室,教育部現代光学技術重点実験室,江蘇 蘇州 215006) ,  Xu Chao (蘇州大学 光電信息科学与工程学院,蘇州納米科技協同創新中心,江蘇 蘇州 215006;蘇州大学 江蘇省先進光学技術重点実験室,教育部現代光学技術重点実験室,江蘇 蘇州 215006) ,  Deng Zhangwei (蘇州大学 光電信息科学与工程学院,蘇州納米科技協同創新中心,江蘇 蘇州 215006;蘇州大学 江蘇省先進光学技術重点実験室,教育部現代光学技術重点実験室,江蘇 蘇州 215006) ,  Chen Chen (蘇州大学 光電信息科学与工程学院,蘇州納米科技協同創新中心,江蘇 蘇州 215006;蘇州大学 江蘇省先進光学技術重点実験室,教育部現代光学技術重点実験室,江蘇 蘇州 215006) ,  Chen Linsen (蘇州大学 光電信息科学与工程学院,蘇州納米科技協同創新中心,江蘇 蘇州 215006;蘇州大学 江蘇省先進光学技術重点実験室,教育部現代光学技術重点実験室,江蘇 蘇州 215006) ,  Wang Wenxin (中国科学院物理研究所 北京凝聚態物理国家実験室,北京,100190) ,  Peng Zhangsi (蘇州大学 光電信息科学与工程学院,蘇州納米科技協同創新中心,江蘇 蘇州 215006;蘇州大学 江蘇省先進光学技術重点実験室,教育部現代光学技術重点実験室,江蘇 蘇州 215006)
資料名： Faguang Xuebao  (Faguang Xuebao)
巻： 38  号： 8  ページ： 1056-1062  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1380A  ISSN： 1000-7032  CODEN： FAXUEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： InGaAsN/GaAs量子井戸におけるベリリウム(Be)元素の再ドーピングは,光学的性質を著しく向上させることができた。赤方偏移をX線回折により明らかにし,ベリリウムドーピングがInGaAsN(Be)/GaAs量子井戸のアニーリング過程における応力解放を抑制することを明らかにした。アニーリング前に,アニーリング後に,ベリリウムをドープしない量子井戸試料の量子井戸のX線ロッキング曲線の回折ピークは,GaAs基板のピークにシフトした。しかし、ベリリウムをドープした量子井戸サンプルにとって、このようなシフトは非常に小さい。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ロッキングカーブ ,  光学的性質 ,  X線 ,  焼なまし ,  *ベリリウム ,  *ヒ化ガリウム ,  赤方偏移 ,  *ドーピング ,  *量子井戸 ,  回折 ,  X線回折
準シソーラス用語： GaAs基板 ,  応力解放 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： dilute nitride ,  molecular beam epitaxy ,  quantum well ,  strain relaxation ,  X-ray diffraction

分類 (3件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体レーザ  (BD04070L) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaAs ,  量子井戸 ,  Be ,  ドーピング ,  研究