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J-GLOBAL ID:201702226736097021   整理番号:17A1003326

冷プラズマ焼結を使用する膜対膜電気接続のための全ての銅の接触技術

All-copper contacting technology for film-vs-film electric connection using cool plasma sintering
著者 (1件):
資料名:
巻: 56  号: 5S2  ページ: 05EB04.1-05EB04.4  発行年: 2017年05月 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  CODEN: JJAPB6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
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タイリング展開は1つのピースでの大面積素子を製造するよりもかなり低い設備で大面積エレクトロニクスの製作を可能にする。薄い接続技術はそこでは重要な役割を果たすと予想される。しかしながら,既存の薄いタイプのフレキシブルな接続の接触抵抗は,膜のペアの合わさり電極間に銅インクを挿入し,筆者らのグループによって最近開発された技術,冷プラズマ焼結によって焼結された。筆者らは約20mΩの接触抵抗を達成した。それは十分低く,最も要求される応用と合致する。(翻訳著者抄録)
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分類 (2件):
分類
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圧粉,焼結  ,  固体デバイス製造技術一般 
引用文献 (20件):
  • Z. Cui, Printed Electronics: Materials, Technologies and Applications (Wiley, Hoboken, NJ, 2016).
  • G. Nisato, D. Lupo, and S. Ganz, Organic and Printed Electronics: Fundamentals and Applications (Pan Stanford Publishing, Singapore, 2016).
  • R. G. Greene, R. H. Katyl, J. P. Krusius, and B. Yost, U.S. Patent 5668569 (1997).
  • J. W. Hamer and D. L. Winters, U.S. Patent 8179336 (2012).
  • R. Mitsui, S. Takahashi, S. Nakajima, K. Nomura, and H. Ushijima, Proc. Int. Conf. Electronics Packaging, 2014, p. 303.
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