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J-GLOBAL ID：201702226764728966   整理番号：17A1569909

細胞当りの多重応答ビットを持つ新しい書込み競合ベースのデュアルポートSRAM PUF【Powered by NICT】

A new write-contention based dual-port SRAM PUF with multiple response bits per cell

著者 (3件)： Liu Chao Qun (School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, Singapore) ,  Zheng Yue (School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, Singapore) ,  Chang Chip-Hong (School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, Singapore)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ISCAS  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 物理的クローン化不能関数(PUF)としての静的ランダムアクセスメモリ(SRAM)を再利用するための出力上昇リセットを用いた二つの主要な制約の問題がある。第一に,それは,細胞当たり1応答ビットだけのエントロピーを制限している。第二に,出力上昇リセットは全体的影響を持つので,余分な貯蔵は一時的にPUFモードへの切り替え前の元のSRAM含量を緩衝するために必要である。このプロセスは余分な面積電力オーバヘッドに加え可能性のあるセキュリティ漏れを導入した。新たなデュアルポート(DP)SRAMセルは低電力と高速メモリ移動のための魅力的な多元接続能力を提供する。四多元接続モードの一つにおける禁制競合状態をleveringにより,新しいDP SRAMをベースにしたPUFは挑戦で検討されたもののみ細胞含有量に緩衝細胞と限界データ当たり二個の独立した応答ビットを生成するために提案した。PTM22nm LP CMOSモデルに基づくシミュレーション結果は,その優れた信頼性,一意性およびランダム性これら価値利点以上を確認した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： クローン ,  信頼性 ,  電力 ,  記憶装置 ,  RAM【メモリ】 ,  一意性 ,  セキュリティ ,  CMOS ,  再利用 ,  *SRAM ,  シミュレーション ,  エントロピー ,  高速度
準シソーラス用語： 低電力化 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (8件)： 細胞 ,  多重応答 ,  ビット ,  書込み ,  競合 ,  デュアル ,  ポート ,  SRAM