文献

J-GLOBAL ID：201702226769435488   整理番号：17A0442181

CO分子による炭化ケイ素ナノチューブ中の炭素空格子点欠陥の治癒:DFT研究【Powered by NICT】

Healing of a carbon-vacancy defect in silicon carbide nanotubes by CO molecules: A DFT study

著者 (2件)： Esrafili Mehdi D. (Laboratory of Theoretical Chemistry, Department of Chemistry, University of Maragheh, Maragheh, Iran) ,  Saeidi Nasibeh (Laboratory of Theoretical Chemistry, Department of Chemistry, University of Maragheh, Maragheh, Iran)
資料名： Chemical Physics Letters  (Chemical Physics Letters)
巻： 671  ページ： 49-55  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0824A  ISSN： 0009-2614  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： DFT計算は,CO分子によるC空孔欠陥炭化ケイ素ナノチューブ(SiCNT)の治癒過程を調べた。治癒過程はCO空格子点再結合,続いて他のCO分子による余分なO除去で構成されている。SiCNTに余分なO原子の除去が律速段階,管直径の増加と共に減少するエネルギー障壁であることが分かった。それにもかかわらず,SiCNTの治癒がチューブキラリティーにほとんど無関係であった。著者らの結果は,SiCNTの精製と同様に,COガスの除去だけでなく有用である。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 再結合 ,  *点欠陥 ,  律速 ,  *治癒 ,  密度汎関数法 ,  *炭化ケイ素
準シソーラス用語： エネルギー障壁 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： SiCNT ,  治癒 ,  CO酸化 ,  DFT ,  吸着

分類 (1件)： 物理的手法を用いた吸着の研究  (CB12043P)

タイトルに関連する用語 (10件)： CO ,  分子 ,  炭化ケイ素 ,  ナノチューブ ,  炭素 ,  空格子点 ,  欠陥 ,  治癒 ,  DFT ,  研究