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J-GLOBAL ID：201702226828619613   整理番号：17A0554770

GeSnベースの直接バンドギャップ多重量子井戸ヘテロ接合フォトトランジスタの電流利得と外部量子効率のモデリング

Current gain and external quantum efficiency modeling of GeSn based direct bandgap multiple quantum well heterojunction phototransistor

著者 (5件)： CHAKRABORTY Vedatrayee (Univ. Calcutta, Kolkata, IND) ,  DEY Swagata (Univ. Calcutta, Kolkata, IND) ,  BASU Rikmantra (National Inst. Technol. Delhi, Delhi, IND) ,  MUKHOPADHYAY Bratati (Univ. Calcutta, Kolkata, IND) ,  BASU P.K. (Univ. Calcutta, Kolkata, IND)
資料名： Optical and Quantum Electronics  (Optical and Quantum Electronics)
巻： 49  号： 3  ページ： 125,1-13  発行年： 2017年03月 
JST資料番号： A0205A  ISSN： 0306-8919  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： バンドギャップ ,  *フォトトランジスタ ,  モデリング ,  量子効率 ,  *多重量子井戸 ,  利得 ,  *ヘテロ接合 ,  ゲルマニウム ,  スズ ,  半導体材料
準シソーラス用語： 外部量子効率 ,  電流利得

分類 (1件)： 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

タイトルに関連する用語 (7件)： 直接バンドギャップ ,  多重量子井戸 ,  ヘテロ接合 ,  フォトトランジスタ ,  電流利得 ,  外部量子効率 ,  モデリング