抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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本論文では,初めて,パネルスケールパッケージ再分布層(RDL)配置のトレンチ(ViT)相互接続のような新しいシリコンダマシンを提示した。本論文でパネルスケールダマシンRDLは,5μmのドライフィルム感光性誘電体を用いた溝の幅に等しい直径を持つ超微細銅に埋め込まれたトレンチとマイクロバイアで構成されている。140μm厚ガラス基板をコア材料として使用されている。新しいパネルスケーラブルViT相互接続は,低コスト,次世代2Dおよび2.5Dインターポーザと高密度パッケージのための標的である。ViT RDLは,5μmのドライフィルム感光性誘電体(PID)高分子に埋込まれた2.5μm半直線ピッチ銅トレースによる2μm直径マイクロバイアと統合した。RDL統合は直接200IO/mm/layerのIO密度に相当する。,Intelにより定義されたIO/mm/layerはパッケージ基板の各層に及ぼすダイ端のmm/ルーティングワイヤの数である。ViT相互接続に必要な捕獲パッド本論文で示さなかった。ルーティングCu微量は,従来のによる捕獲パッド微量相互接続配置の代わりにマイクロバイアのトップ上に直接配列している。このような高密度RDLの作製は上のトレンチをパターン形成し,銅を充填し完全に達成された。PWBパターン形成とパッケージ基板のための広く使用されている従来のi線(365 nm)フォトリソグラフィーは微細溝形成とPIDの小さなマイクロバイアのために採用した。進歩した5μm厚のPID膜IF4605はビルドアップ層のために選択した。実験結果は直径2~μmの半直線ピッチ2.5μmの溝を有するマイクロバイアを5μm厚さのIFドライフィルムで達成されたことを示した。半直線ピッチ1μmのトレースは3μmの厚さの液体フォトレジスト膜で示された。アスペクト比は,それぞれ液体フォトレジスト用ドライフィルムPID3 2.5であった。IO/mm/layerの点で最良の相互接続密度はドライフィルムPIDを用いた200と計算され,薄いPIDを用いて450に拡張することができる。比較のために,最新の有機インターポーザのためのIO密度はセミアディティブプロセス(SAP)を用いて40であった。に埋め込まれたトレンチ技術はSAPの限界を突破とSAPと比較して5 10x相互接続密度を達成した。ViT相互接続は,高性能コンピューティング,高帯域幅メモリと超小型システム用途のための将来のパッケージ基板の要件を満たすために革新的パッケージRDL構成である。埋込みトレンチ法を用いた2.5/2.5/220μmのL/S/Via/ピッチをもつ薄いガラス基板上にViT RDL配置の実証を示し,製作プロセスを詳細に記述した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
