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J-GLOBAL ID：201702226852625276   整理番号：17A1929145

窒化ガリウムの外部層の性質に及ぼす傾斜アルミニウムガリウムの窒素バッファ層の影響を研究した。【JST・京大機械翻訳】

Effects of Step-graded AlxGa1-xN Buffer on Properties of GaN Films

著者 (7件)： Li Baozhu (集成光電子国家重点聯合実験室 吉林大学電子科学与工程学院,吉林 長春,130012) ,  Huang Zhen (集成光電子国家重点聯合実験室 吉林大学電子科学与工程学院,吉林 長春,130012) ,  Deng Gaoqiang (集成光電子国家重点聯合実験室 吉林大学電子科学与工程学院,吉林 長春,130012) ,  Dong Xin (集成光電子国家重点聯合実験室 吉林大学電子科学与工程学院,吉林 長春,130012) ,  Zhang Yuantao (集成光電子国家重点聯合実験室 吉林大学電子科学与工程学院,吉林 長春,130012) ,  Zhang Baolin (集成光電子国家重点聯合実験室 吉林大学電子科学与工程学院,吉林 長春,130012) ,  Du Guotong (集成光電子国家重点聯合実験室 吉林大学電子科学与工程学院,吉林 長春,130012)
資料名： Faguang Xuebao  (Faguang Xuebao)
巻： 38  号： 6  ページ： 780-785  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1380A  ISSN： 1000-7032  CODEN： FAXUEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 金属有機物化学蒸着システムを用いて、シリコン面の炭化ケイ素基板の(0001)面に窒化アルミニウムバッファ層を成長させ、3層の勾配アルミニウムガリウム窒素(AlxGa1-xN:x=0.8、0.5、0.2)バッファ層の成長温度とアンモニア流量を変化させた。高品質の窒化ガリウムエピタキシャル層を調製した。窒化ガリウムの外部層を,X線回折,原子間力顕微鏡,光ルミネセンススペクトル,およびRaman分光法によって特性評価した。実験結果により、窒化ガリウムの外部層における引張り応力の低下に伴い、サンプルの結晶品質、表面形態及び光学品質が著しく向上したことが分かった。最適化された勾配のGaNバッファ層の成長条件において,窒化ガリウム層の応力値は最小であり,窒化ガリウム(0002)と(1012)面のロッキング曲線の半値全幅はそれぞれ191arcsecと243arcsecであった。膜の転位密度と刃の転位密度はそれぞれ7×107cm-2と3.1×108cm-2であり、サンプルの表面粗さは0.381nmである。これらの結果により,窒化ガリウムの外部層の応力状態を変化させ,窒化ガリウムの外部層の結晶品質を著しく改善することができることを示した。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *窒素 ,  Raman分光法 ,  *バッファ層 ,  最適化 ,  *窒化ガリウム ,  転位密度 ,  ケイ素 ,  キャラクタリゼーション ,  窒化アルミニウム ,  化学蒸着 ,  X線回折 ,  原子間力顕微鏡 ,  ロッキングカーブ
準シソーラス用語： 表面形態 ,  結晶品質 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： GaN ,  step-graded AlGaN buffer ,  crystallinity ,  stress

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： 窒化ガリウム ,  外部層 ,  性質 ,  アルミニウム ,  ガリウム ,  窒素 ,  バッファ層 ,  研究