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J-GLOBAL ID：201702226917353204   整理番号：17A1380567

レクテナシミュレーションのためのSchottkyダイオードのモンテカルロモデリング【Powered by NICT】

Monte Carlo modelling of Schottky diode for rectenna simulation

著者 (4件)： Bernuchon E. (Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies, CNRS, Univ. Paris-Sud, Universite Paris-Saclay, C2N - Orsay, 91405 Orsay Cedex, France) ,  Aniel F. (Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies, CNRS, Univ. Paris-Sud, Universite Paris-Saclay, C2N - Orsay, 91405 Orsay Cedex, France) ,  Zerounian N. (Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies, CNRS, Univ. Paris-Sud, Universite Paris-Saclay, C2N - Orsay, 91405 Orsay Cedex, France) ,  Grimault-Jacquin A.S. (Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies, CNRS, Univ. Paris-Sud, Universite Paris-Saclay, C2N - Orsay, 91405 Orsay Cedex, France)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 135  ページ： 71-77  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 検出器回路を設計する前に,Schottkyダイオードの電気的パラメータ抽出は重要なステップである。本論文では,鏡像力効果やトンネルのような金属-半導体接触での異なる輸送機構を含むBoltzmann輸送方程式(BTE)のモンテカルロ(MC)ソルバに基づいている。トンネル電流と熱イオン電流の量はトンネルモデル化の異なる程度に応じて定量化した。I-V特性は理想因子の依存性,及びバイアスによる電流飽和を明らかにした。先端設計システム(ADS)ソフトウェア内の整流器回路に調和平衡(HB)シミュレーションは,Schottkyダイオードの電気的モデルのための非線形理想因子と飽和電流を考慮した必須であるとは思われないことを示した。,I-V曲線の前方領域で抽出されたバイアスの独立した値は十分であった。しかし,小信号解析(SSA)から抽出した非線形直列抵抗は,低入力パワーでの変換効率に強く影響する。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 信号解析 ,  *モンテカルロ法 ,  整流器 ,  バイアス ,  *Schottky障壁ダイオード ,  *シミュレーション ,  *モデリング ,  半導体 ,  電流電圧特性 ,  電流
準シソーラス用語： 直列抵抗 ,  飽和電流 ,  理想因子 ,  トンネル電流 ,  パラメータ抽出 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： モンテカルロ(MC) ,  Schottkyダイオード ,  調和平衡(HB)シミュレーション ,  パラメータ抽出 ,  トンネリング ,  鏡像力(IF)

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (3件)： Schottkyダイオード ,  モンテカルロ ,  モデリング