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J-GLOBAL ID：201702226942873426   整理番号：17A1344672

原子薄多孔二次元C_2N単分子層における同調可能な半金属磁性【Powered by NICT】

Tunable half-metallic magnetism in an atom-thin holey two-dimensional C₂N monolayer

著者 (8件)： Gong Sai (Beijing Key Laboratory of Nanophotonics and Ultrafine Optoelectronic Systems, School of Physics, Beijing Institute of Technology, Beijing 100081, China. [e-mail]) ,  Wan Wenhui ,  Guan Shan ,  Tai Bo ,  Liu Chang ,  Fu Botao ,  Yang Shengyuan A. ,  Yao Yugui
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 5  号： 33  ページ： 8424-8430  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 磁気秩序をもつ二次元(2D)材料を探索することは現在の研究の焦点である。外因性磁気原子または欠陥を導入することなく,1原子厚さの材料における調整可能な磁性を達成するための課題となっている。ここでは,第一原理計算に基づいて,ゲートによって容易に達成できることが純粋な電子ドーピングによる最近合成された中空2D C_2N(h2D C_2N)単分子層で実現できる調整可能な強磁性ことを提案した。バンド構造における顕著なvanH ove特異点のために,材料は,比較的低いドーピング密度で自発強磁性を示すことが分かった。注目すべきことに,4×10~13cm~ 2の広いドーピング範囲8×10~13cm~ 2に,システムが半金属,完全にスピン分極したキャリアであった。推定したCurie温度は320Kまですることができた。ゲーティングに加えて,磁性も格子ひずみによって調整できることを見出した。著者らの結果は,ゲート同調室温半金属磁性のホストになる単一原子厚さの最初の材料としてh2D C_2Nを同定し,ナノスケール磁性と柔軟なスピントロニクス素子を探索するための有望なプラットフォームとしてそれを示唆した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *同調 ,  スピン分極 ,  磁気 ,  バンド構造 ,  *半金属 ,  計算 ,  Curie温度 ,  *二次元 ,  *磁性 ,  *単分子層 ,  磁気秩序 ,  格子歪 ,  強磁性
準シソーラス用語： スピントロニクス素子 ,  電子ドーピング ,  第一原理計算 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： その他の無機化合物の磁性  (BM06060P) ,  塩  (CD01050V)

タイトルに関連する用語 (6件)： 原子 ,  多孔 ,  単分子層 ,  同調 ,  半金属 ,  磁性