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J-GLOBAL ID：201702227007051654   整理番号：17A1090619

重要な40nm未満ピッチMxレベルパターニングに対する自己整列ブロッキング統合の実証

Self-Aligned Blocking Integration Demonstration for Critical sub 40nm pitch Mx Level Patterning

著者 (9件)： RALEY Angelique (TEL Technol. Center, America, LLC, USA) ,  MOHANTY Nihar (TEL Technol. Center, America, LLC, USA) ,  SUN Xinghua (TEL Technol. Center, America, LLC, USA) ,  FARRELL Richard A. (TEL Technol. Center, America, LLC, USA) ,  SMITH Jeffrey T. (TEL Technol. Center, America, LLC, USA) ,  KO Akiteru (TEL Technol. Center, America, LLC, USA) ,  METZ Andrew W. (TEL Technol. Center, America, LLC, USA) ,  BIOLSI Peter (TEL Technol. Center, America, LLC, USA) ,  DEVILLIERS Anton (TEL Technol. Center, America, LLC, USA)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 10149  ページ： 101490O.1-101490O.11  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 40nmピッチのBEOL金属グリッドと2つのブロックに対して7nmのロジックノードを目的とする2つの統合を提示し,実証した。提示された統合は,スケーリングに対する最大の課題の1つ,エッジ配置誤差に対処した。材料間の選択性の差異を利用して達成された自己整合を介して,オーバーレイ制約が非自己整合格子及びブロック問題の場合の3倍まで緩和できることを示した。ブロックアプローチとカットアンドトーンインバージョンアプローチを考えた。2つの選択肢を対比することにより,スケーラビリティ及び欠陥の関連から,カットおよびトーン反転がブロックよりも望ましいことを結論づけた。両集積化は,誘電体エッチング用途の分野で広く使用されているBEOL TEL CCPエッチャーで実行された。

シソーラス用語： ブロック ,  *自己整合 ,  パターン形成 ,  半導体工業 ,  誘電体 ,  エッチング ,  制約条件 ,  *ブロッキング ,  集積
準シソーラス用語： エッジ配置誤差 ,  オーバーレイ制約 ,  縁端配置誤差 ,  誘電体エッチング

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： ピッチ ,  パターニング ,  自己整列 ,  ブロッキング ,  統合 ,  実証