高度に非線形なZnO Bi_2O_3MnO_2バリスタの電気的性質に及ぼすSiO_2の影響【Powered by NICT】

Bai Hairui; Li Miaomiao; Xu Zhijun; Chu Ruiqing; Hao Jigong; Li Huaiyong; Chen Chong; Li Guorong

文献

J-GLOBAL ID：201702227015795345 整理番号：17A1096774

高度に非線形なZnO Bi_2O_3MnO_2バリスタの電気的性質に及ぼすSiO_2の影響【Powered by NICT】

Influence of SiO₂ on electrical properties of the highly nonlinear ZnO-Bi₂O₃-MnO₂ varistors

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Bai Hairui

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資料名：

Journal of the European Ceramic Society (Journal of the European Ceramic Society)

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巻： 37 号： 13 ページ： 3965-3971 発行年： 2017年
JST資料番号： E0801B ISSN： 0955-2219 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

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ZnO Bi_2O_3MnO_2~-xSiO_2(ZBMS)バリスタを,通常の固体状態法により880°Cの低い焼結温度で調製した。ZBMSバリスタの相変態,微構造,及び電気特性はSiO_2のドーピング量の関数として調べた。ZnO粒の成長はSiO_2の導入によって抑制されることを示したと粒径は4.68μmから2.98μmに減少した。破壊電圧E1mAから608.11mm~1232.88mmの同時変化を示した。SiO_2はSchottky障壁構造に顕著な影響を及ぼすことを明らかにした。結果として,5.34eVの最高障壁高さφ_bはx=0~2.0wt%の組成,73.68の最高の非線形係数αに寄与するで達成された。さらに,全ての試料はI_L_<0.1μAの低い漏れ電流を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

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