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J-GLOBAL ID：201702227021068404   整理番号：17A1250746

マイクロ熱ステージを用いたRRAMのための超高速加速保持試験方法【Powered by NICT】

Ultrafast Accelerated Retention Test Methodology for RRAM Using Micro Thermal Stage

著者 (7件)： Wang Ziwen (Department of Electrical Engineering, Stanford University, Stanford, CA, USA) ,  Jiang Zizhen (Department of Electrical Engineering, Stanford University, Stanford, CA, USA) ,  Zheng Xin (Department of Electrical Engineering, Stanford University, Stanford, CA, USA) ,  Fong Scott (Department of Electrical Engineering, Stanford University, Stanford, CA, USA) ,  Chen Hong-Yu (GigaDevice Semiconductor Inc., Beijing, China) ,  Wong H.-S. Philip (Department of Electrical Engineering, Stanford University, Stanford, CA, USA) ,  Nishi Yoshio (Department of Electrical Engineering, Stanford University, Stanford, CA, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 38  号： 7  ページ： 863-866  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： マイクロ熱段階(MTS)を用いた抵抗ランダムアクセスメモリ(RRAM)のための超高速加速保持試験法を提案した。チャック加熱を用いた加速保持試験では,試験速度を制限する二つの主要な因子は,達成可能な温度範囲と熱時定数である。これら限界を拡大するために,拡張温度範囲(~800 °C)と短い熱時定数(~10μs)とMTSを構築した。例としてHfOxベースRRAMの高抵抗状態保持破壊を用いて,提案した方法論は,加速された保持試験時間を短縮<10ms,チャック加熱に比べて六桁までのブーストを達成できることを示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *チャック
準シソーラス用語： 熱時定数 ,  ReRAM , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： ステージ ,  RRAM ,  加速 ,  試験方法